近日Pure Storage称2026年会打造300TB的闪存固态盘。Pure生产自己的SSD，号称DFM（直接闪存模块），这些模块基本是NAND芯片组合，配置Pure的FlashArray和FlashBlade操作系统Purity，通过NVMe将raw flash直连到FlashArray存储，并提供闪存控制器功能。FlashBlade//S和//E系统使用24或48TB DFM。
Pure首席技术官Alex McMullan对外展示了一张图表，显示Pure的DFM容量扩展到 300TB模块的路线图。
Pure闪存 VS 机械盘密度
Alex McMullan指出，Pure未来几年的计划是将固态盘和机械盘的竞争态势带入一个全新领域。目前即将发售24和48TB固态盘。目标是到2026年推出300TB容量的固态盘。
这个目标远超其他厂商的硬盘容量路线图。比如东芝预计其MAS-MAMR和HAMR技术将在2026年达到40TB：
东芝的HDD技术路线图
希捷称其HAMR技术应该能在2025财年实现50TB的HAMR硬盘，最早到2030年实现100TB容量。 如果Pure Storage能够交付DFM产品，届时Pure Storage的单个硬盘容量会提高5到6倍。
McMullan还展示了一张图描述从现在到2026年，SSD与HDD TCO相比有更好且稳定的下降：
一个FlashBlade机箱可以放10台刀片服务器。每台服务器最多可安装四个DFM。相比目前FlashBlade//E的1.92PB容量，10台刀片x 4 x 300TB的DFM FlashBlade//E，单个机箱将拥有12PB的原始容量。
那么Pure如何达到300TB DFM？McMullan表示，所有的芯片厂都在向Pure运送112到160层的芯片。所有晶圆厂供应商也有在未来五年内达到400-500层的计划，这些都对实现300TB目标有所助力。
评论
设想很美好，但五年后是2028年，比McMullan的2026年许诺晚两年，这意味着到2026年，3D NAND层数无法让Pure达到300TB DFM。
一个300层的3D NAND芯片容量，是目前150层的两倍左右，可能实现100TB DFM，但还需要一些其他的容量助力，比如增加DFM的物理尺寸，让这些模块可以容纳更多芯片。
假如移出计算和DRAM组件，能在FlashBlade 上安装物理尺寸更大的DFM，使用现在的QLC 150-160层芯片，容量增加2.5倍的DFM能达到120TB。再加倍到300多层芯片，还是只有240TB DFM，差60TB。
再看介质，PLC（5位/单元）NAND可以再增加20%——288TB，少12TB。或许Pure是依靠在物理空间变大的DFM中加入更多更高层数的NAND 芯片，然后使用PLC格式才能达到300TB的水平。
文章来源：https://blocksandfiles.com/2023/03/01/300tb-flash-drives-coming-from-pure-storage/
