闪存的发展史可以追溯到1967年，当贝尔实验室的Dawon Kahng和Simon Sze共同发明了浮栅MOSFET，这是所有闪存，EEPROM和EPROM的基础。
1967年，贝尔实验室江大原（Dawon Kahng，韩裔）和施敏博士（Simon Sze）共同发明了浮栅MOSFET，即所有闪存，EEPROM和EPROM的基础。
1979-81年，Eli Harari在受聘于英特尔的时候发明了世界上首个电可编程和可擦除存储器——EEPROM。他的愿景是用这种新技术取代磁盘，但英特尔的CEO拒绝了他的提案。
1984年，闪存之父Fujio Masuoka博士在东芝时提交了一份关于浮栅新用途的行业白皮书，整个芯片的内容都可以在相机闪光（flash）的瞬间被擦除。1986年，英特尔推出了闪存卡概念，并且成立了专注于SSD的部门。
1987年，Masuoka博士发明了NAND闪存即2D NAND。1988年，英特尔看到了闪存的巨大潜力，推出了首款商用闪存芯片，成功取代了EPROM产品。同年，Sundisk成立。
在1989年，SunDisk提交了系统闪存专利。英特尔发售了512K和1MB NOR Flash。随后三星和东芝各自推出NAND闪存，擦写时间更快，密度更高，比NOR Flash成本更低，且耐用性高于十倍。
到了90年代初，闪存行业以前所未有的速度迅速扩张，1991年营收达到1.7亿美元，1992年达到2.95亿美元，1993年升至5.05亿美元，1994年达到8.64亿美元，1995年直接达到了18亿美元。
在1991年，SunDisk首次推出了一款基于闪存的ATA固态硬盘(SSD)，其存储容量为20MB。在同一时期，IBM的ThinkPad掌上笔记本电脑开始提供SSD。此外，东芝发布了全球首款4MB的NAND闪存。
1992年，AMD和富士通共同推出了首款NOR产品。英特尔也推出了包括第二代FFS 2。SunDisk也推出了PCMCIA闪存卡。从这一年开始，个人电脑开始使用闪存进行BIOS存储。
在1993年，英特尔推出了16MB和32MB的NOR Flash。英特尔和康纳也联合开发出了5MB/10MB的ATA闪存盘。苹果公司在他们的Newton PDA中开始使用NOR Flash。
1994年，SunDisk针对SSD应用推出了Compact Flash卡和18MB的串行NOR Flash芯片。
在1995年，SunDisk更名为SanDisk，同时推出了34MB的串行NOR Flash，这是首款面向SSD应用的MLC闪存芯片。
在1996年，东芝推出了SmartMedia存储卡，这也被称为固态软盘卡。三星开始销售NAND闪存，而SanDisk则推出了采用MLC串行NOR技术的第一张闪存卡。
1997年，第一部配备了闪存的手机问世，从而打开了消费级闪存市场。
1999年，NOR Flash的收入超过了40亿美元。东芝和SanDisk联手创建了闪存制造的合资企业。美光公司也宣布已经销售出了超过10亿个闪存芯片。
2001年，东芝与SanDisk宣布推出了1GB的MLC NAND。SanDisk自家也推出了首款NAND系统闪存产品。三星开始批量生产512MB的闪存设备。
2004年，NAND的价格首次降至DRAM的同等密度以下，成本效应将闪存代入计算领域。
在2005年，苹果推出了基于闪存的iPod shuffle和iPod nano。三星率先采用70nm制程量产NAND闪存。在这一年，超过30亿的闪存芯片被发货，NAND的总发售容量也超过了DRAM。
2006年，闪存的营收超过了200亿美元。英特尔推出了Turbo Memory（迅盘）。SanDisk收购了Martix Semiconductor和M-Systems两家公司。
2007年，英特尔和Micron组成的合资公司IM Flash Technologies。苹果正式推出了初代配置4GB或8GB闪存的iPhone。Fusion-io宣布推出基于 MLC NAND的640 GB ioDrive。希捷推出了第一款混合硬盘——Momentus PSD。这一年闪存营收突破220亿美元。
2008年，英特尔和美光宣布推出34nm MLC NAND。东芝首次推出了512GB的MLC SATA SSD。IBM首次展示了“百万IOPS”的闪存阵列。 EMC宣布将基于闪存的SSD用于企业SAN应用。美光，三星和Sun Microsystems宣布推出高耐用性闪存。Violin首次推出基于全闪存的存储设备。
2009年，英特尔和美光推出34nm TLC NAND。希捷进入SSD市场。SandForce推出了第一款基于数据压缩的SSD控制器。Virident和Schooner针对数据中心推出了第一款基于闪存的应用设备。西部数据收购了SiliconSystems进入SSD市场。
2010年，东芝推出基于16核堆栈的128GB SD卡。英特尔和美光公司推出25nm TLC和MLC NAND。同年，Numonyx被美光收购、SST被Microchip收购。三星开始生产64 GB MLC NAND。
2011年，LSI收购SandForce。苹果收购Anobit，Fusion-io收购IO Turbine。希捷推出了第二代Momentus XT混合硬盘，拥有8GB NAND闪存和750GB HDD存储容量。
2012年，三星创造了3D NAND，推出第一代3D NAND闪存芯片，也是第一款32层 SLC V-NAND SSD——850 PRO。SanDisk和东芝宣布推出支持128GB芯片的19nm闪存。希捷推出了结合闪存和HDD的SSHD。美光和英特尔推出20nm的128Gb NAND芯片。SK电信收购海力士半导体的控股权，SK海力士成立。美光推出了2.5英寸企业级PCIe SSD。
2013年，三星宣布推出24层3D V-NAND，并在2013年美国闪存峰会（FMS）上展示了1TB SSD。Diablo Technologies宣布推出内存通道存储技术。SMART Storage Systems将Diablo的设计纳入ULtraDIMM。M.2 PCIe接口正式发布NVMe标准。西部数据先后收购了sTec，Virident和Velobit。SanDisk收购SMART Storage Systems。NVMe 1.0e版本发布。
2014年，三星，SanDisk和东芝宣布推出3D NAND生产设备。SanDisk推出了4TB企业级SSD，还发布了128GB microSD卡。IBM宣布其eXFlash DIMM采用了SanDisk ULLtraDIMM以及Diablo的内存通道存储技术。三星还开始发售32层 MLC 3D V-NAND——850 EVO。
2015年，SanDisk推出InfinitiFlash存储系统。东芝和SanDisk宣布推出48层3D NAND。英特尔和美光宣布推出384GB 3D NAND。三星推出首款NVMe m.2固态硬盘和48层 V-NAND。英特尔和美光宣布推出3D XPoint Memory。英特尔还基于XPoint技术推出了Optane傲腾。
2016年，东芝发售了用于iPhone 7的48层TLC NAND。紫光国芯与武汉新芯公司合并，在武汉成立了长江存储。美光展示了768GB 3D NAND。西部数据以190亿美元的价格收购SanDisk。英特尔着手向企业级市场发售3D NAND产品，而美光则改道消费级市场发售SSD。
2017年，SK海力士发售72层3D NAND。英特尔发售傲腾SSD。HPE收购Nimble和Simplivity。三星与东芝/西部数据发售96层3D NAND。Everspin发布1GB STT-MRAM芯片样品。同年，闪存阵列厂商Violin Memory破产后被私有化。关注数据中心SSD规范标准的EDSFF工作组成立。
2018年，贝恩资本财团完成对东芝闪存业务的180亿美元收购案。英特尔发布傲腾数据中心持久内存。三星发布高速Z-NAND数据中心SSD，作为英特尔傲腾的竞品。长江储存宣布其3D NAND架构Xtracking研发成功。三星、英特尔、美光均推出了QLC SSD。
2019年。英特尔与美光正式结束在NAND Flash技术方面长达14年的合作关系。同年，亚马逊云科技宣布收购基于全闪存阵列的存储公司E8。东芝发布第一代XL-Flash技术。东芝存储器更名为“铠侠（Kioxia）”。NVMe 1.4版本发布。
2020年，SK海力士以90亿美元收购英特尔旗下NAND和SSD业务。长江存储宣布跳过96层，成功试产128层QLC 3D NAND闪存，单颗容量达1.33 Tb (166 GB) 。同年，发布名为致态的消费级SSD。
2021年，铠侠和西数宣布162层NAND颗粒。同年，美光、SK海力士发布176层NAND颗粒。更多厂商发布基于PCIE 4.0的产品。NVMe 2.0规范发布。
2022年，长存宣布成功试产232层存储芯片X3-9070。美光和SK海力士分别发布232层、238层3D NAND颗粒。西部数据和铠侠的新一代闪存产品为212层。Solidigm在公开场合展示PLC NAND技术。英特尔宣布将彻底退出傲腾业务。铠侠发布第二代XL-Flash。
2023年，英特尔发布支持PCIe 5.0的第四代至强可扩展处理器，支持CXL。PCIe 5.0 SSD开始在市场上出现。国家大基金宣布将对长江存储增加19亿美元的注资。
2023年8月29-30日，以“芯存储 AI未来”为主题的2023全球闪存峰会（FMW）将在杭州举办，活动旨在为各界专家学者提供一个交流分享最新技术、发展趋势和未来展望的平台，共同推动数字化转型创新发展，欢迎大家关注，共同目睹闪存技术发展和商业成功。
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