CXL可用于扩展内存子系统的容量和性能，也可用于提供具有超高性能的持久存储。最近，在2023年的闪存峰会上（FMS），铠侠展示了基于3D NAND和XL-Flash的CXL解决方案。
据了解，铠侠计划提供两条CXL产品线：
第一种是基于CXL和XL-Flash的设备，它面向对性能和可靠性要求高的场景，比如内存数据库和AI推理工作负载。
第二种是基于CXL和BiCS 3D NAND的设备，它面向对存储容量要求更高的应用，比如大数据和AI训练场景。
这两种场景下，存储设备都用到了一个特殊的控制器，用CXL.mem协议用来进行读取，CXL.io协议用来写入，从而降低延迟。
在现场，铠侠展示了一款1.3 TB CXL 1.1/CXL 2.0 BiCS 3D NAND设备的样品，目前该产品还在开发当中，该设备采用E1.S的Form Factor，可以提供更高的性能和散热能力。
虽然使用CXL协议，通过PCIe接口访问3D TLC NAND也是可行的，但是，换成XL-Flash的话，效果会更好，因为XL-Flash的性能比普通3D NAND要高很多。
铠侠专有的第一代XL-Flash，本质上是分布在16个平面上SLC NAND，而第二代XL-Flash是分布在更多平面上的MLC NAND，它可以提供更低的延迟和更高的并行表现，与主流3D TLC NAND相比，性能高出很多。
去年，铠侠曾表示其CXL存储设备将使用第二代XL-Flash，新设备将超越第一代XL-Flash，不仅更具成本效益，而且还能实现更高容量。
目前，铠侠没有公布CXL产品的具体发布规划，外界猜测基于3D NAND的CXL设备将提早发布。
