1月31日，江波龙官网宣布，继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后，首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。
该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上，为其存储产品组合带来更多可能性。
江波龙近年来在存储芯片的自主研发投入了大量的精力和资源，引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。其团队不仅精通闪存芯片的设计技术，并且对于流片工艺制程、产品生产过程有着深入了解，对于4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富的经验。在此基础上，公司能够根据特定需求设计出不同容量和接口的闪存芯片，为客户提供定制化服务。
在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合公司自主开发的测试平台，实现了高效的生产测试，以确保交付客户的闪存芯片具有高度的一致性和可靠性。
MLC NAND Flash芯片为了确保数据读取和写入的稳定性，需要精确控制保存在存储单元内的电荷数量。为达到该要求，一方面需要设计高精度的模拟电路，以精确产生读写存储单元时所需的操作电压；另一方面，需要精心设计算法来控制操作的时序和电压，让算法能够适应工艺特性（尤其是新工艺），且实现尽可能低的能耗。通过在芯片内嵌入微控制器，能够修改固件，从而实现更为灵活的算法控制。为了使得数据存储更加可靠，芯片还内嵌了温度传感器，能够搭配算法实现更加精准的控制。
此外，为了实现接口访问的高带宽，还要设计高速数据读写通路。这一通路包括了高速读出放大器、高速并-串/串-并转换逻辑、冗余替换电路，并且需要在电路设计和物理版图上精确匹配各个关键信号的延迟。
目前，江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。
