本周，据《日经新闻》报道，中国台湾晶圆代工厂力积电将在今年上半年和日本初创企业Power Spin合作，目标是在2029年量产磁阻式随机存取內存（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory），并利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。
日本初创企业Power Spin源于日本东北大学，主要从事MRAM相关的半导体技术研发。Power Spin会提供MRAM IP给力积电，力积电在推动研究、试产后，目标是在2029年开始进行量产，期待可应用于生成式AI数据中心。
先来了解一下MRAM，是一种基于隧穿磁阻效应的技术，产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域，如IoT嵌入式存储领域，该技术拥有读写次数无限、写入速度快、功耗低、抗辐射和逻辑芯片整合度高的特点。当然MRAM还面临很多的挑战，比如真实器件材料体系复杂、开关比低，CMOS工艺要完全匹配等。国内主要企业则包括海康驰拓、致真存储等专注MRAM的研发与应用。
MRAM主要应用场景大致分为：
1、 高速，高可靠性存储。主要参与企业包括国内驰拓科技，致真存储，美国公司Everspin（其第三代产品以垂直磁化STT-MRAM为主）。
2、 SCM低延迟硬盘服务器。主要参与企业为Everspin和IBM。
3、 数据/code存储，充当nor flash的替代产品。
4、 还有就是嵌入式非易失性存储。用与MCU/SOC和慢速SRAM，当前在做的有三星，台积电，驰拓科技也已经有客户进行了量产。
5、缓存（eSRAM），主要偏向SOT-MRAM。
用于生成式AI数据中心的话，那是不是有可能为第一二类提供高性能芯片，要继续观察。
最后来捋一下2029年生产MRAM的时间线，2023年8月，力积电与日本SBI控股成立合资公司，推进在宫城县大衡村建设半导体量产工厂的项目。
项目分为计划2027年启动的第1期，以12寸硅晶圆换算的月产能为1万片，将生产40nm、55nm芯片，2029年启动的第2期，除了40nm、55nm产品之外，也会生产28nm及WoW（Wafer-on-Wafer）技术的芯片，总投资8000亿日元，日本政府也向第1期提供了最高1400亿日元的补贴。届时两期工厂月产能将达4万片。力积电预计将利用第2期工程产线，在2029年量产MRAM。
