在即将在旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC）上，三星透露其正在计划推出280层QLC 3D NAND SSD产品。
根据ISSCC议程，三星员工将在2月20日的一个会议环节中介绍一项名为“具有28.5Gb/mm²面积密度和3.2GB/s高速IO率的280层1Tb 4b/单元3D-NAND闪存”。
据德国ComputerBase报道，三星新一代V-NAND 9代闪存拥有280层，而不是此前与该代产品相关联的300层。这是一种QLC（每单元4比特）技术，三星声称其拥有行业领先的每平方毫米28.5吉比特的密度以及快速的IO速率。
随着这些闪存芯片密度的提高，UFS盘和M.2盘将受益于其有限的物理空间。
长江存储拥有一款1Tb QLC芯片，密度为20.62 Gb/mm²，层数为232层；美光的密度为19.6 Gb/mm²，使用232层；而西数/铠侠的密度水平为13.86 Gb/mm²，使用162层。SK 海力士拥有一款512 Gbit QLC芯片，其密度为14.40 Gbit/mm²，层数为176层。
增加层数是提高芯片每平方毫米密度的关键。在280层方面，三星拥有最高的层数，其次是SK 海力士的238层，长江存储和美光为232层，西数和铠侠为218层。SK 海力士表示，明年将推出一款321层的芯片，这可能会使其在密度方面占据优势，直到其他供应商赶上。
Tom’s Hardware的报告暗示，这种三星闪存甚至可能使16TB的M.2 SSD成为可能。
这似乎有些不太现实，因为当前的M.2盘的最高容量为2-4TB，例如SK 海力士的Platinum P41为2TB，希捷的FireCuda 530为2TB，三星的990 Pro为4TB，以及美光的7400 Max M.2为3.2TB。跳跃至8TB可能是可行的，但16TB似乎是一个过于遥远的目标。
