闪存技术虽起步晚，却在短时间内迅速崛起，成为现代存储技术的核心。从1967年贝尔实验室的浮栅MOSFET发明，到如今的上百层3D NAND闪存，闪存发展充满了技术创新，也见证了存储市场的巨变。2024年，由DOIT传媒主办，以“芯存储 AI未来”为主题的全球闪存峰会即将到来之际，让我们一起简单回顾这段辉煌的发展史，而且这次，我们希望和大家一起从不同方向去解读和分享数十年间自身记忆深刻的闪存节点，共同充实这段闪存的发展历程。
1967年：闪存的萌芽
1967年，贝尔实验室的江大原（Dawon Kahng）和施敏博士（Simon Sze）发明了浮栅MOSFET，成为所有闪存、EEPROM和EPROM的基础。这项技术的诞生，为后来的闪存发展奠定坚实的基础。
1970年：EPROM诞生
1970年，Dove Frohman发明了第一款成功的浮栅型器件——EPROM，通过紫外线光照擦除数据，在存储软件中广受欢迎。EPROM的出现，标志着闪存技术的初步应用，对英特尔成功推出微处理器起到了关键作用。
1984年：闪存正式命名
1984年，被誉为“闪存之父”的Fujio Masuoka博士在东芝提交了一份关于浮栅新用途的行业白皮书，提出整个芯片内容可以在相机闪光的瞬间被擦除。同年，他在圣何塞举行的IEEE综合电子设备大会上正式介绍了闪存（Flash Memory）。这一年，闪存技术得到了正式命名，并开始进入大众视野。
1988年：商用闪存芯片问世
1988年，英特尔推出首款商用闪存芯片，成功取代EPROM产品，主要用于存储计算机软件。同年3月1日，Eli Harari创立Sundisk（后更名为SanDisk闪迪），致力于让闪存像磁盘一样用于数据存储。
90年代：闪存市场快速扩张
90年代初，闪存行业以前所未有的速度迅速扩张。1991年，SunDisk推出首款基于闪存的ATA SSD，容量为20MB。东芝发布全球首个4MB NAND闪存，标志着NAND闪存的正式诞生。
进入2000年，闪存技术的飞跃
进入2000年，闪存技术迎来了快速发展的黄金时期。2001年，东芝与SanDisk宣布推出1GB MLC NAND。2005年，苹果公司推出两款基于闪存的iPod——iPod shuffle和iPod nano，闪存技术在消费电子产品中的应用逐渐普及。2006年，闪存营收超过200亿美元，标志着闪存市场进入高速增长期。
2010年以来，3D NAND的崛起
2012年，三星创造了3D NAND，推出第一代32层SLC V-NAND SSD——850 PRO。此后，3D NAND技术逐渐成为主流，层数不断增加，存储密度和性能也不断提升。2017年，三星与东芝/西部数据发售96层3D NAND，美光发售字符串堆栈3D NAND，3D NAND技术迈向新高度。
2020年以来，向更高层数进发
2020年，长江存储发布128层3D NAND，继续引领高层堆叠技术的发展。2021年，美光发布176层3D NAND闪存，进一步提升了存储密度和速度。2022年，三星发布200层3D NAND，继续引领行业技术发展。2023年，西部数据宣布分拆为两家分别专注于硬盘和NAND闪存的企业，拥有不同的产品线以及基于NAND闪存的产品。同年，铠侠和西部数据宣布推出采用缩放和晶圆键合技术的218层3D NAND闪存。三星推出256TB SSD和PB级PBSSD架构。2024年，新紫光集团旗下紫光闪芯发布“紫光闪存”固态硬盘及闪存产品系列，又一个国产硬盘入局。三星确认已开始大规模生产其第九代垂直NAND（V-NAND），290层堆叠，基于TLC，单芯片容量达到1Tb……
不同角度看闪存发展
从技术角度上，闪存的发展史是技术创新的历程，从最初的浮栅MOSFET，到现在的3D NAND，每一次技术突破都推动了闪存技术的进步。特别是3D NAND的出现，极大地提高了存储密度和性能，成为现代存储技术的主流。
从市场角度上，随着计算机、智能手机、消费电子产品的普及，对高性能、大容量存储的需求不断增加，推动了闪存技术的快速发展。特别是在2000年以后，闪存技术在消费电子产品中的广泛应用，使得闪存市场迅速扩张，营收不断攀升。
从产业角度上，英特尔、美光、三星等大厂的技术对决，到铠侠与西部数据、三星与SanDisk的合作，闪存产业在竞争中不断创新，在合作中不断壮大，特别是近年来，随着国内企业的崛起，闪存产业格局正在发生深刻变化。
作为存储从业者，你是否经历了从传统硬盘到SSD的升级过程？在这段发展史中，在任意一个以年为单位的时间节点上，你认为还有哪些重要的事件和技术突破必须要被提及？
我们欢迎大家分享自己的故事，认领一份属于你的闪存发展史中的记忆，做这一发展历程中的见证者和参与者！
同时，2024年8月28日，在南京召开的全球闪存峰会上，也将向大家展示这份新的闪存发展史，敬请期待！
