实际上，2年前，国外的FMS刚刚举办了NAND闪存发明35周年庆。今年，它的闪存大会主题就变成了“存储之未来”（Future of Memory Storage），闪存成了重要的部分之一。国内，2024年全球闪存峰会将于8月28日在南京召开，闪存依然是主旋律，伴随着AI时代的风潮强势来袭，以新的产品、技术与应用证实闪存技术在数据存储领域的重要性与日俱增。
1984年，东芝公司的舛冈富士雄博士发明了闪存，是一种非易失性存储技术，能够在没有电源供应的情况下保存数据。闪存技术的出现标志着数据存储技术的一次革命性突破，解决了传统硬盘速度慢、能耗高的问题。其广泛应用于各种电子设备，如智能手机、数码相机、固态硬盘（SSD）等，为现代电子设备提供了可靠、高效的存储解决方案。
在1980年代中期，随着计算机和电子设备的普及，对高性能、低功耗、长寿命的数据存储需求日益增加。传统的磁盘存储和动态随机存取存储器（DRAM）在能耗、速度和持久性方面的局限性促使科学家们寻找新的存储解决方案。闪存的发明为这一需求提供了理想的解决方案，成为存储技术发展的里程碑。
NAND与NOR闪存的区别与应用
闪存主要分为两种类型：NAND闪存和NOR闪存。两者在架构、性能和应用领域上存在显著区别。
NOR闪存：
架构：NOR闪存采用一种称为”not OR”的逻辑门电路，其存储单元排列成类似于NOR逻辑门的结构。这种结构使得每个存储单元都直接连接到位线和字线，从而能够实现随机访问。
性能：由于其随机访问特性，NOR闪存在读取速度上表现出色，适用于需要频繁读取数据的应用场景。然而，写入和擦除操作相对较慢。
应用：NOR闪存常用于存储固件和代码，广泛应用于嵌入式系统、微控制器和执行代码的设备中，如手机的启动代码、路由器的固件等。
NAND闪存：
架构：NAND闪存的存储单元排列成串行连接的形式，这种结构使得它在存储密度和成本上具有优势。NAND闪存通过块级访问方式读取数据，这种方式更适合大容量数据的存储和读取。
性能：NAND闪存在写入和擦除速度上具有优势，适合大规模数据存储。然而，随机访问性能相对较弱，读取小数据块的效率不如NOR闪存。
应用：NAND闪存被广泛应用于存储大容量数据的设备，如固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器等。闪存技术经历了多次重要的技术革新，每一次革新都推动了存储技术的进步和应用的普及。
第一代闪存（1980年代中期）：最初的闪存技术基于NOR架构，主要用于替代EPROM和EEPROM。它提供了更快的读取速度和更高的可靠性。主要用于存储固件和嵌入式代码，如BIOS和微控制器固件。
NAND闪存的引入（1989年）：东芝公司引入了NAND闪存技术，具有更高的存储密度和更低的成本，适合大容量数据存储。广泛应用于消费电子产品，如数码相机、MP3播放器和USB闪存驱动器。
多层单元（MLC）技术（2000年代初）：MLC技术使得每个存储单元可以存储多个比特的数据，大幅度提高了存储密度和降低了成本，应用于固态硬盘（SSD），推动了消费级和企业级存储市场的发展。
三层单元（TLC）和四层单元（QLC）技术（2009年以来）：TLC和QLC技术进一步增加了每个存储单元存储的数据比特数，进一步提升了存储密度和降低了成本。应用于高容量固态硬盘和数据中心存储解决方案。
3D NAND技术：3D NAND技术通过在垂直方向上堆叠存储单元，大幅度提高了存储密度和降低了每比特成本，同时改善了性能和耐久性。应用于高性能固态硬盘、企业级存储系统和云存储解决方案。
到了现在的AI时代，闪存技术的重要性更加凸显。AI模型的训练和推理过程需要处理大量的数据，而闪存技术以其高性能和低延迟的特点，能够满足这些需求。比如NVMe SSD以其卓越的性能，成为数据中心和AI应用中不可或缺的存储解决方案。
写在最后
闪存技术自发明以来，经历了从基础研究到大规模商业化应用的快速发展过程。无论是NOR闪存还是NAND闪存，它们都在不同的应用场景中发挥着重要作用。随着3D NAND、QLC NAND等技术的不断创新，闪存芯片的存储密度和性能得到了大幅提升，推动了移动设备、数据中心、物联网和AI应用的快速发展。
未来的AI时代，随着AI、大数据和物联网技术的进一步普及，闪存技术的重要性更加凸显，AI模型的训练和推理过程需要处理大量的数据，对高性能、高可靠性存储解决方案的需求将持续增长。闪存技术将继续在这些领域中扮演关键角色，推动存储技术的不断演进，为各种应用场景提供更优质的解决方案。
2024年全球闪存峰会即将召开，欢迎大家来南京，从学术界专家带来的前沿技术精彩分享，企业代表展示的创新产品与应用案例，还有未来发展的趋势洞察等不同维度，去了解以闪存为中心辐射四周的闪光点！
