本文参考自“从云到端，AI产业的新范式（2024）”，通常单台传统服务器价格在1万美金以内，而搭载8张H100算力卡的DGX H100AI服务器价值量可达40万美金（300万人民币左右）。
处理器性能不断提升，“内存墙”成为计算机系统的瓶颈。计算机系统的运行受到处理器和内存的配合影响，但处理器性能因摩尔定律不断提升，而内存DRAM的传输带宽没有跟随工艺的演进而快速增长，导致访存时延迟高、效率低，严重制约处理器性能发挥，即出现“内存墙”。在AI和视觉等领域，需要大量的内存带宽来支持复杂的计算操作，若内存性能落后，会导致实际算力下降50%甚至90%。
HBM是目前用于打破“内存墙”的重要技术之一。高带宽存储器（HBM）是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，可以提供更高的内存带宽和更低的能耗，适用于高存储器带宽需求的应用场合，如HPC、网络交换设备等。最新的HBM3E产品可提供超过1TB/s的数据带宽，具有8Gb/s的I/O速率，缓解了因内存部件延迟而阻碍算力增长的问题。
HBM技术细节请参考“HBM三足鼎立：海力士、三星和美光争夺战”。
根据Yole Group统计，2023年海力士以55%的营收占比在HBM市场占据主导权，其后是三星和美光，营收占比分别为41%和3%。美光早期在堆栈式DRAM的探索中最先选择了HMC技术，在数据传输时延迟和速度方面存在劣势，但其及时转向，在2020年推出首款HBM2产品，此后跃过HBM3，直接投入研发HBM3E，并于2023年7月发布24GB 8-HighHBM3E。
三家原厂最新的HBM3E产品对比来看，低能耗是美光的主要竞争优势，三星拥有更小的堆叠间隙，有利于更高层数堆叠，SK海力士则得益于其开发的MR-MUF技术，散热性能优异。
AI服务器需求核心在于更大带宽的存储，带来了存储技术路线变革：
1）CXL（compute express link）：全新的互联技术标准，其带来的DRAM池化技术可以大大节约数据中心的建设成本，同时带动DRAM的用量。
2）MCR/MDIMM（Multiplexer Combined Ranks）：大大提高内存带宽，AMD已经在MemCon 2023上表达了它帮助推动JEDEC的MRDIMM开放标准 的承诺，英特尔也与SK hynix和瑞萨合作，基于与MRDIMM类似的概念，开发了多路合并阵列（MCR）DIMM。
3）PCIe 5.0（Peripheral Component Interconnect Express 5.0）：新一代总线技术，构建了更加高速的串行通信系统标准。
MCR/MRDIMM可以很好的满足AI服务器对内存带宽的高需求，该技术将多个DRAM内存模块组合在一起，通过将两个Rank形成伪多内存通道（Pseudo Channel），并使用专门的控制器（接口芯片）来管理它们之间的数据传输，并大大提高内存带宽，理论上，MCR/MRDIMM内存的带宽是DDR5的两倍。
澜起科技已于2022年完成MCR控制芯片（MRCD/MDB）研发。
美光在HBM市场起步晚于三星和SK海力士，但于2023年7月率先发布HBM3E完成新产品反超。后续产品规划上，根据美光披露的产品路线图，其预计将于2025年发布36GB 12-High HBM3E用以完善其HBM3E产品线，并于2026年推出革命性产品36GB 12-High HBM4，带宽预计将超过1.5TB/s。
预计在2027年前，美光将对HBM4产品容量进一步升级，发布48GB 16-High HBM4。2028年，美光预计发布带宽升级至2 TB/s 以上的HBM4E。2023-2028年内，美光几乎年均推出一款HBM系列新产品，展示出其对高速增长HBM市场的勃勃雄心。
澜起科技拥有两大产品线，互连类芯片产品线和津逮服务器平台产品线。其中，互连类芯片产品主要包括内存接口芯片、内存模组配套芯片、PCIe Retimer芯片、MXC芯片、CKD芯片等，津逮服务器平台产品包括津逮CPU和混合安全内存模组。
新品序列基本在2023年完成研发及送样，未来业绩核心驱动一是DDR5芯片不断迭代保持价值量，二是新品逐步上量打开成长空间。高性能运力产品方面Retimer，MRCD/MDB已经实现出货，并在推进开展DDR5第四子代RCD、第二子代MRCD/MDB芯片和PCIe 6.0 Retime芯片的研发。
聚辰股份是国产EEPROM龙头厂商。产品主要包括EEPROM、音圈马达驱动芯片、智能卡芯片和NOR Flash，并广泛应用于智能手机、汽车电子、白色家电等众多领域。公司持续拓宽EEPROM产品的应用领域，与澜起科技合作开发的SPD EEPROM产品于2021年第四季度实现量产。
内存迈入DDR5世代，SPD EEPROM必需性突显。除内存接口芯片RCD、DB外，串行检测集线器（SPD）是内存管理系统的关键组成部分，适用于DDR5系列LRDIMM、RDIMM、UDIMM、SODIMM等内存模组。伴随DDR5内存渗透率不断提升，SPD EEPROM将迎来更广阔的的市场空间。
