一直对3D NAND要堆多少层有执念，或许和痴迷过叠大楼游戏有关，即便是简单的叠高楼游戏，也很考验人的耐心和定力，堆叠更是一门技术活了。事实上，闪存发展史从堆叠角度也可以看到一些变化：从1967年浮栅MOSFET出现到2008年，闪存都是基于2D NAND，2008年，东芝开发了3D NAND结构的BICS，2013年，三星正式推出24层3D V-NAND，并在FMS上展示了1TB SSD，平房变高楼，此刻，属于3D NAND的“叠叠乐”时代才正式开始。
从最初的24层开始，到32层，再到64层，大约经过三四年时间，2017年前后，96层NAND开始出现，之后进入百层时代，128层、144层、212层、238层…到2023年，一些厂商都要卷300层+了，但这个300层是不是真正的300层其实不一定。
在这场3D NAND技术竞赛里，堆叠层数被视为其中一个制高点。大家堆得层数越来越高，方法却不尽相同。目前市场上有两种堆叠方式：字符串堆叠（ String stack）和单一堆叠（Single stack）。
单一堆叠（Single stack）相当于原生垂直堆叠1xx+，仅一道工序，有成本优势。但制程复杂度随层数攀升不断加大，蚀刻和沉积最终可能导致裸片良品率下降，包括交叠层厚薄不均、蚀刻不彻底（打孔未到达底部）、弯曲、扭曲及线宽变化。还有其间电子垂直通过的迁移率也在随层数增加而更加不可控。
而字符串堆叠（ String stack，目前主要指双层堆叠），制程复杂度相对较低，只要拥有48层或者64层技术，那么就可以实现96（2*48）层、128（2*64）层，还降低了打孔的蚀刻深度，良品率不会受到影响，但需要两道工序，会增加30％+的成本。
另外还有长江存储，另辟蹊径的Xstacking技术，是一种晶圆键合（Wafer bonding）而非堆栈方式。一片晶圆上加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，另一片晶圆上加工存储单元，最终通过数百万根金属VIA(垂直互联通道)将二者键合接通电路。近年来也有其他厂商开始使用类似的方式。
当然，大家为了追求更高层数，很更倾向于字符串堆叠，推出速度快，容量更大，层数还高。
如今随着AI、5G、物联网等新兴技术的发展，我们对高容量、高性能存储需求激增，会推动3D NAND层数继续增加。
未来几年，在出现可替代的存储新介质之前，3D NAND的堆叠层数应该还会继续攀升，400层甚至更高层的3D NAND可能成为出现，而混合使用字符串堆叠和晶圆键合技术，进一步提升存储容量和性能也将继续。
8月28日，全球闪存峰会将在南京召开，大会也将共同探讨3D NAND技术的发展趋势与未来走向，期待大家的积极参与，共同推动闪存技术的蓬勃发展。
