HBM4内存标准将定稿：堆栈通道数较HBM3 翻倍，初步同意最高6.4Gbps速度
近日，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会发布新闻稿，表示HBM4标准即将定稿，在更高的带宽、更低的功耗、增加裸晶/堆栈性能之外，还进一步提高数据处理速率。在生成式人工智能（AI）、高性能计算、高端显卡和服务器等领域，这些改进对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用至关重要。相比较 HBM3，HBM4 的每个堆栈通道数增加了一倍，物理尺寸更大。该机构为了支持设备兼容性，主控可以同时处理 HBM3 和 HBM4。
HBM4将指定24Gb 和32Gb层，并提供4-high、8-high、12-high和16-high TSV堆栈，委员会已初步同意最高6.4Gbps的速度，并正在讨论更高的频率。
紫光集团宣布正式更名为“新紫光集团”
7月11日，紫光集团宣布正式更名为“新紫光集团”，并成立紫光智行、紫光智算、紫光闪芯、新紫光半导体等新公司，分别面向汽车电子、人工智能、存储、先进工艺等领域。
新紫光集团董事长李滨表示，新紫光集团“新”在新架构、新模式及新技术。新紫光集团聚焦集成电路和数字科技主业，已形成覆盖芯片设计、生产、封装、测试、设备、材料和模组的半导体全产业链。
新紫光集团布局方向与最新进展包括：
● 新技术开拓：发布四大创新技术方向，包括多元异构高效融合的新型智算集群系统解决方案、高端车规级芯片、6G 与低轨道卫星通信芯片、面向后摩尔时代的半导体技术新赛道
● 产业链建设：在北京、成都、广州、珠海、岳阳、芜湖等地规划建设了先进制造基地和先进研发中心项目
● 产业协同：旗下紫光展锐与中兴通讯签署全方位 5G 战略合作框架协议；旗下新华三联合地方政府、核心芯片公司及大模型厂商，共同打造“智算产业生态联盟”；旗下紫光计算机与麒麟软件签约“麒心伙伴”合作协议
● 高校合作：携手北京科技大学共建高水平研发平台；联合浙江大学与当地政府共建浙江创芯集成电路有限公司
● 产融结合：携手股东方智路建广以及广州产投、海南财金银河基金、北方华创、芯原股份、紫光联盛（立联信）、招商银行、华夏银行、浦发银行等共同发起“未来科技战略产业基金”
英国AI芯片企业Graphcore正式被软银收购
Graphcore官网显示，这家AI 芯片企业已被软银收购。根据协议，Graphcore将成为软银的全资子公司，继续以现有名称运营。双方并未透露具体交易价值。
此前，Graphcore 曾一度被视为“英国版英伟达”。然而自2020 年以来，该企业未获得新的融资，也丢失了来自微软的重要订单，这使其资金紧张、运营困难，未能跟上 AI 芯片领域的大势。
Graphcore 联合创始人兼首席执行官 Nigel Toon称加入软银让公司有了一个合作伙伴，可以帮助Graphcore团队重新定义 AI 技术的格局。
据外媒 TechCrunch 报道，Nigel Toon 向外界确认，本次收购后 Graphcore 不会进行裁员，并考虑增加在英国的员工人数。
三星智能戒指Galaxy Ring发布：支持睡眠、心率监测
三星在巴黎举办Unpacked 2024发布会，除了发布Galaxy Z Fold6、Galaxy Z Flip6两款折叠屏手机外，三星还发布了首款智能戒指——Galaxy Ring，国行售价3099元。
外观上，Galaxy Ring与普通戒指类似，共九种尺寸，可选钛黑、钛银、钛金三款配色，重量最轻2.3克，戴在手上基本无感。
Galaxy Ring内置三个传感器，可监测睡眠、活动、心率等多个指标，测量数据会被同步至三星健康应用。
其他方面，Galaxy Ring最长续航7天，防水性能达到10ATM，支持IP68级防尘防水。
据了解，购买Galaxy Ring时可免费获得尺码测量工具套装，收到该套装后的14天内，在 “我的订单 “页面选择尺寸，未选择尺寸的话，14天后订单将被取消。如果收到尺码测量工具套装后，不想继续购买Galaxy Ring，三星将为用户退款，用户也无需退还工具套装。
三星电子：计划在HBM4时代为客户开发多样化定制HBM内存
三星电子本周举行的三星晶圆代工论坛上表示，定制HBM预计在 HBM4时期成为现实。
三星电子存储部门新事业企划组组长Choi Jang-seok称许多客户正在从传统的通用HBM转向定制产品。定制 HBM 将在 PPA（性能Performance、功耗Power和面积Area）方面提供与标准产品不同的选择，带来显著价值。
Choi Jang-seok具体介绍了两种可能的定制HBM形式：
1、不使用现有 2.5D 封装方案中必需的中介层 (Interposer) 和基础裸晶 (Base Die)，直接将 HBM 芯片 3D 集成在计算 SoC 上，可简化从计算芯片到 HBM 的数据路径，降低芯片功耗和占地面积，这类似于之前展示过的 SAINT-D。而现有 HBM 内存封装集成形式，数据流需通过中介层；
2、将内存的 I/O 接口和控制器转移到 HBM 内存的 Base Die 上，为计算芯片留出更多用于逻辑电路的空间。
Choi Jang-seok还提到三星电子正在开发单堆栈达48GB的大容量HBM4内存，预计明年投产。
