闪存技术以1967年发明浮栅MOSFET为开端，已经走过了半个多世纪的发展历程，到如今高度复杂的3D NAND闪存，闪存技术一直在快速演进。此前我们在2023年闪存峰会上曾发布了《全球闪存简史》，目的是观闪存之新生、成势、应用与变革。
闪存在不断向前发展，闪存发展史当然不会就此断更。2024年8月28日，全球闪存峰会上，我们将发布最新一版的闪存发展史，一同回顾闪存技术变革历程，以此更好地理解当前技术的发展路径，预测闪存未来发展趋势。
今天我们先对闪存发展做一个简单回顾：
初期探索（1967-1980年）
1967年，美国贝尔实验室的江大原和施敏博士发明了浮栅MOSFET，这一发明奠定了所有闪存、EEPROM和EPROM的基础。1970年，英特尔工程师Dov Frohman发明了EPROM，这是一种通过紫外线光照射擦除数据的浮栅器件。1979年，闪迪创始人Eli Harari发明了EEPROM，并提出了浮栅未来取代磁盘的愿景。
成熟与商用化（1980-2000年）
1984年，东芝的舛冈富士雄博士正式提出了闪存的概念，并于1987年发明了NAND闪存。1988年，Eli Harari创立了Sundisk，后更名为SanDisk，并推出了首款商用闪存芯片。1991年，SunDisk推出了首款基于闪存的20MB ATA SSD。1994年，SunDisk推出了首款用于SSD应用的Compact Flash卡，标志着闪存进入消费市场。
高速发展期（2000-2020年）
进入21世纪，闪存技术进入了高速发展期。2004年，NAND闪存的成本首次低于DRAM，使其广泛应用于计算领域。2006年，闪存市场收入突破200亿美元。2012年，三星推出了第一代3D NAND闪存，开启了3D存储时代。到2020年，长江存储发布了全球首款128层QLC 3D NAND存储芯片，3D NAND技术普及至100多层。
关键创新与市场扩展（2020年至今）
自2020年以来，闪存技术在企业级市场和消费市场都取得了重大进展。2021年，英特尔和美光分别推出了高性能的Optane和3D XPoint产品。2022年，长江存储发布了新型3D NAND闪存结构Xtacking，推动了闪存技术的新一轮创新。2023年，SK海力士发布321层4D NAND Flash闪存样品，2024年，三星宣布第9代V-NAND 1Tb TLC产品量产,堆叠层数达到290层。
闪存技术的未来趋势
高密度与高性能。随着数据量的爆炸式增长，对高密度和高性能存储解决方案的需求愈发迫切。未来，闪存技术将继续朝着更高密度、更高速度和更低功耗的方向发展。QLC、PLC和更先进的存储技术将逐步普及，推动数据存储的革命。
企业级市场的增长。企业级市场对高性能存储的需求持续增长。闪存技术在企业级存储中的应用，如全闪存存储阵列和智能存储解决方案，将成为未来的发展重点。企业将能够更高效地利用闪存技术，实现数据管理和处理的优化。
3D NAND技术的普及。3D NAND技术的发展极大地提升了闪存的容量和性能。未来，随着技术的进一步成熟，3D NAND的层数将不断增加，生产工艺将进一步优化，成本也将进一步降低。这将使得3D NAND在更多领域得到广泛应用。
最后
闪存技术从诞生至今，经历了无数的创新和变革，成为现代数据存储的核心。2024全球闪存峰会将为闪存市场提供一个平台，回顾过去，分享当下，放眼未来。随着闪存技术的不断进步，相信在不久的将来，闪存将继续推动数据存储领域的变革，迎来更加辉煌的未来。
