JEDEC制定下一代DDR5 MRDIMM和LPDDR6 CAMM内存标准

JEDEC 即将发布面向下一代人工智能市场的新一代 DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM 内存模块。下个月,JEDEC 还将举行一次会议,重点介绍 LPDDR6 的发展情况。

JEDEC 今天披露了即将推出的 DDR5 多路复用级双列直插式内存模块 (MRDIMM) 标准和 LPDDR6 下一代压缩附加内存模块 (CAMM) 标准的关键细节。用于 LPDDR6 的新型 MRDIMM 和 CAMM 将以无与伦比的带宽和内存容量彻底改变整个行业。

DDR5 MRDIMM 采用创新、高效的新型模块设计,可提高数据传输速率和整体系统性能。多路复用技术可将多个数据信号合并在一个通道上传输,从而有效提高带宽,无需额外的物理连接,并提供无缝带宽升级,使应用的数据传输速率超过 DDR5 RDIMM。其他计划中的功能包括:

  • 与 RDIMM 平台兼容,可灵活配置终端用户带宽
  • 采用标准 DDR5 DIMM 组件,包括 DRAM、DIMM 外形和引脚、SPD、PMIC 和 TS,便于采用
  • 利用 RCD/DB 逻辑工艺能力实现高效 I/O 扩展
  • 利用现有的 LRDIMM 生态系统设计和测试基础设施
  • 支持多代扩展至 DDR5-EOL

JEDEC MRDIMM 标准的峰值带宽最高可达本地 DRAM 的两倍,使应用能够超越当前的数据传输速率,达到新的性能水平。它保持了与 JEDEC RDIMM 相同的容量、可靠性、可用性和可维护性(RAS)特性。委员会的目标是将带宽增加一倍,达到 12.8 Gbps,并提高引脚速度。根据设想,MRDIMM 将支持两个以上的等级,其设计将采用标准 DDR5 DIMM 组件,以确保与传统 RDIMM 系统的兼容性。

目前正在计划推出高型 MRDIMM 外形,以便在不改变 DRAM 封装的情况下提供更高的带宽和容量。这种创新的加高外形尺寸可使 DIMM 上安装的 DRAM 单芯片封装数量增加一倍,而无需 3DS 封装。

作为 JEDEC JESD318 CAMM2 内存模块标准的后续产品,JC-45 正在开发适用于 LPDDR6 的下一代 CAMM 模块,目标最高速度超过 14.4 GT/s。按照计划,该模块还将提供一个 24 位子通道、一个 48 位通道和一个连接器阵列。

这两个项目正在 JEDEC 的 JC-45 DRAM 模块委员会进行开发。JEDEC 鼓励公司加入并帮助塑造 JEDEC 标准的未来。成为会员后,可以获得出版前的提案,并能及早了解 MRDIMM 等活跃项目。