最近，铠侠展示了BiCS 8 NAND的相关产品。铠侠与西部数据在2023年3月宣布了BiCS 8的出样，这一代NAND采用了CMOS绑定阵列（CBA）技术。
传统上，闪存芯片的制造过程将逻辑电路（CMOS工艺）布置在闪存阵列的外围，随后在阵列之下放置CMOS逻辑电路。然而，这种方法存在一定挑战，因为闪存阵列的高温处理步骤可能会损害CMOS逻辑电路的健康。
得益于近期晶圆绑定技术的进步，新的CBA工艺允许CMOS晶圆和闪存阵列晶圆独立并行加工，然后，再进行拼接。
BiCS 8 3D NAND有218层，与之前的BiCS 5（112层）和BiCS 6（162层）相比，层数大幅增加。
虽然铠侠跳过了BiCS 7这一代，但BiCS 8继承了BiCS 6的四平面电荷捕获结构。该代产品的TLC版本容量为1 Tbit，而QLC版本则有1 Tbit和2 Tbit两种选择。
虽然218层的数量相比竞争对手的最新产品略显逊色，但铠侠通过横向缩放和单元缩小，使其在位密度和运行速度上仍具有竞争力（达到了3200 MT/s）。
相比之下，美光的最新NAND G9拥有276层，其TLC模式下的位密度为21 Gbit/mm²，运行速度可达3600 MT/s。不过，美光的232层NAND运行速度仅为2400 MT/s，位密度为14.6 Gbit/mm²。
值得一提的是，CBA混合绑定工艺相比其他厂商的现行工艺具有一定优势，包括美光的CMOS阵列下（CuA）和SK 海力士的4D PUC（芯片下方外围）技术。预计其他NAND供应商未来也将逐步转向类似于铠侠所使用的混合绑定技术。
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https://www.anandtech.com/show/21519/kioxia-details-bics-8-at-fms-2024
