2024年8月28日，DOIT传媒将在南京金陵饭店举办以“芯存储 AI未来”为主题的2024全球闪存峰会，汇集全球闪存存储领域的顶尖企业代表与专家学者，深入探讨闪存技术的最新发展趋势，推动闪存市场的持续创新和进步。
在下午的AI存储及企业级SSD技术论坛上，致真存储CTO刘宏喜将发表主题演讲《新一代磁随机存储器SOT-MRAM研发及其在AI领域的应用》，分享致真存储在SOT-MRAM技术研发中的最新进展。SOT-MRAM作为新一代非易失性存储器，具有高速度、低功耗、无限次写入等特性，正逐渐成为存储技术发展的重要方向。
相比传统的存储器技术，SOT-MRAM不仅能提供更高的性能，还能在数据处理和存储方面实现更好的能效比，特别适合于对存储速度和耐久性有高要求的应用场景。
刘宏喜先生是IEEE资深会员，青年科技领军人才，同时担任双一流高校的兼职博导。他在磁存储领域拥有丰富的研究经验，致力于推动新一代磁存储技术的研发与产品化。
