8月28日，2024全球闪存峰会在南京金陵饭店盛大召开，汇聚了来自闪存市场上中下游企业、系统厂商、学术专家以及用户的众多参与者。此次峰会展示了最新的产品与技术成果，为产业链的各个环节提供了一个多维度的交流互动平台。
本次峰会期间，还举办了闪存技术学术论坛（线上），由华中科技大学武汉光电国家研究中心教授、中国计算机行业协会信息存储与安全专业委员会副秘书长吴非担任出品人。论坛特别邀请了哈尔滨工业大学（深圳）教授夏文、华东师范大学教授、CCF信息存储专委常委石亮、得一微电子存储分析部总监叶敏博士，以及华中科技大学武汉光电国家研究中心副教授周健，分别发表主题演讲。
哈尔滨工业大学（深圳）教授夏文发表技术演讲——面向闪存的数据去重技术优化研究。他指出，在全球数据量爆炸式增长的背景下，数据存储与管理面临着巨大的挑战。数据去重与压缩技术成为提升存储效率的关键手段。传统压缩算法在时间和空间复杂度上受限，难以适应大规模存储系统。数据去重技术通过文件级或数据块级的冗余消除，显著提高了存储和传输效率。然而，去重技术也带来了元数据写放大的问题，这对存储设备的寿命产生了负面影响。对此，夏文教授提出了优化去重文件系统的方案，H2C-Dedup能够有效解决去重元数据I/O放大问题，从而延长SSD的寿命。
华东师范大学教授石亮的演讲主题为高密度闪存存储系统：从介质、控制器到系统的挑战与机遇。主要内容包括高密度闪存的发展趋势、存储系统关键技术研究的重要性、国际四大厂商的技术进展预测以及未来发展趋势的探讨。报告分析了开放通道存储技术、近存储计算系统及AI时代的高密度闪存挑战，并提出了通过定制化接口编程加速应用过程等解决方案。
得一微电子存储分析部总监叶敏博士的技术演讲题为动态Read Retry方法——实现3D NAND闪存的近零Read Retry。他指出，随着闪存存储设备经历多次擦写周期后，其可靠性逐渐下降，导致读操作时需要更多的Read Retry进行错误校正，从而严重影响了读性能。为了解决这一问题，叶敏博士提出了一种创新的动态Read Retry方法，让3D NAND在性能控制和耐磨管理上获得提升，进一步延长存储芯片的寿命，并提升整体存储系统的性能。
华中科技大学武汉光电国家研究中心副教授周健的演讲主题是基于数据处理器的存储系统优化设计。他指出，当前计算机系统面临着存储与计算性能提升不平衡的问题。虽然固态硬盘的性能不断提升，但处理随机I/O所需的CPU资源也随之增加。针对这一挑战，周健教授提出了利用数据处理器优化存储系统设计的方案，以减少CPU的占用并提高存储性能。其中日志结构合并树的优化方法，包括软硬件优化两大类。通过数据处理器实现后台任务的卸载，提出了轻量化文件共享机制、硬件辅助的透明压缩机制以及动态自适应的合并调度机制等关键技术。
