最近，SK海力士在官网上宣布，全球首款基于TLC的321层4D NAND闪存已正式进入量产阶段。这款具有1Tb容量的闪存产品标志着NAND技术的新高度，将在2025年上半年供应给市场客户。
继去年6月推出全球最高的238层NAND后，SK海力士再次成为首家量产300层以上NAND的企业。通过创新性的“三插头”（Three Plugs）工艺技术，公司实现了多层堆叠的技术突破。
三插头工艺技术通过三次插头制作，使用低应力材料将多个插头电气连接。其中，采用低应力材料有效避免了晶圆变形问题，通过引入自动对齐技术，确保多插头之间的精准连接，解决了多层堆叠的技术难题。
新工艺使得生产效率比上一代提升59%，同时减少了工艺切换带来的不确定性。
而且，与上一代产品相比，321层NAND产品在性能和效率方面实现了显著提升，其中，数据传输速度：提高12%。数据读取性能提升13%，数据读取的功耗效率提高超过10%。
这些改进使得新产品在性能需求高、能耗敏感的AI应用中具备更强的竞争力。
SK海力士计划将321层NAND闪存广泛应用于新兴AI场景，包括AI数据中心的高性能SSD和终端设备的AI存储需求。低功耗、高性能的特点使其成为AI存储系统的理想选择。
目前，三星已经量产了236层NAND，尚未发布超过300层的产品。美光（Micron）最新一代NAND为232层，铠侠（Kioxia）当前最新产品为218层，同样落后于SK海力士的321层。
