回顾2024年，存储圈热点至多不少。
HBM芯片月产能预计同比增长105%
在SK海力士、三星、美光三巨头的大力推动下，2025年HBM芯片每月总产能为54万颗，相比较2024年增加27.6万颗，同比增长105%。
3D NAND Flash技术突破200层，成为主流技术趋势
三星第8代V-NAND层数达到了236层, 3D NAND Flash目前已经突破200层；美光232层NAND Flash已经量产出货；铠侠和西部数据共同推出218层3D NAND闪存。
华为悬赏求解AI时代存储技术难题推动行业创新
华为推出2024奥林帕斯奖，悬赏300万元求解AI时代存储技术难题，包括每bit极致性价比的存储技术以及面向AI时代的新型数据底座两大难题。奖项设置2个奥林帕斯奖，每个奖金100万元，5个奥林帕斯先锋奖，每个奖金20万元。
吸引全球顶尖人才和团队共同突破技术瓶颈，推动存储技术革新，为AI应用落地提供更强大的存储支持，加速科研成果产业化，实现产学研合作共赢，也体现了华为在存储技术领域的雄心和作为行业领军者的担当。
此外，华为“磁电”存储技术突破引领数据存储变革。华为正在积极研发的“磁电”存储技术（MED）有望改变数据存储行业格局，该技术在速度、能效和容量等方面实现重大突破，每PB耗电仅71W，比传统HDD节能90%，每机架性能可达8GB/s，比档案磁带装置快2.5倍。
这项技术若成功应用，将为数据中心和大型企业带来巨大的节能空间和高效的数据处理能力，有力支撑AI时代海量数据的存储和处理需求，推动整个存储行业向更高效、更节能的方向发展。
三星存储芯片市场策略调整与竞争态势
随着市场变化，三星调整存储芯片市场策略，其8层和12层HBM3e已量产并开始销售，HBM4开发工作按计划进行，目标是2025年下半年开始量产，但已将2025年底HBM最大产能目标降低10%以上。
三星作为存储芯片行业的巨头，其策略调整对全球存储芯片市场格局产生重要影响，反映出市场竞争的加剧和行业发展的不确定性，也促使其他企业相应地调整自身战略，推动整个行业的动态竞争与发展。
SK海力士存储技术创新与产能扩张
2024年海力士在存储技术和产能方面动作频频，其8层HBM3e已量产，12层HBM3e 12hi出货量将在四季度开始，预计2025年上半年12hi份额将超过HBM3e总出货量的一半，2025年下半年目标是向客户供应HBM4 ；此外，还推出了全球最高性能的新一代显存产品GDDR7以及全球首次开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16GB DDR5 DRAM等。
美光存储芯片技术进展与市场布局
美光的HBM产能已售罄且价格锁定，8层HBM3e已量产并开始销售，12层HBM3e三季度已量产，其12-high 36gb产品比竞争对手的HBM3e 8-high 24gb解决方案功耗低20%，同时提供高于50%的DRAM容量，预计2025年初提高产量，并提高12-high mix的出货量。
美光在HBM领域的技术优势和市场布局，使其在高性能存储芯片市场占据重要份额，有助于提升其在人工智能等领域的市场竞争力，同时也推动了整个存储芯片行业向更高性能、更低功耗的方向发展，加剧了行业内的竞争格局。
长鑫存储国产HBM内存良率突破与市场崛起
长鑫科技宣布其国产HBM2内存的良率将在明年底达到90%，且有望2025年实现国产HBM量产。2024年京东双十一期间，长江存储交易额与销量皆居首位。长鑫存储2024年向全球客户的出货量达1800万颗DDR4 DRAM，成为全球最大的DDR4 DRAM供应商。
国产存储芯片在技术和市场份额上均取得了显著进步，逐步打破国外垄断，降低了国内市场对进口存储芯片的依赖，增强了我国存储芯片产业的自主可控能力，也为全球存储芯片市场注入了新的竞争力量，推动行业格局的多元化发展。
