三星最新的季度财报未能达到市场预期，虽然在努力进军高利润的高带宽存储器（HBM）市场，但目前SK海力士处于领先地位，美光紧随其后。
HBM通过在基板（interposer）上堆叠多个DRAM层，形成与GPU相连的存储产品。相比于x86处理器使用的插槽式存储器，HBM提供了更快的带宽和更高的容量。
HBM的成本远高于普通DRAM，但随着AI应用的增长，对高带宽GPU存储的需求同步上升，这使得SK海力士和美光的收入大幅增长。
2023年11月，SK海力士在其12层堆叠（12-Hi）的HBM3e存储芯片基础上增加了4层，使容量从36GB提升至48GB，并计划在今年提供该16层堆叠（16-Hi）产品的样品。
更高速的HBM4标准预计也将在2024年推出，其堆叠带宽约为1.5TBps，相比之下，HBM3e的带宽仅超过1.2TBps。
三星公布的截至2023年12月31日的季度初步财务数据显示，营收约514亿美元，同比增长10.7%，但低于分析师预期。此外，营业利润约45亿美元，低于市场预期的61亿美元，且较上一季度下降30%。
三星方面表示，存储业务在第四季度的营收创下新高，主要得益于高密度存储产品的强劲销售。然而，由于研发投入的增加以及先进技术扩产带来的初始成本，存储业务的营业利润出现下降。
三星晶圆代工业务的挑战，包括：失去关键客户在先进工艺上的订单、部分产品逐渐进入生命周期尾端、成熟制程市场复苏缓慢。
生产HBM芯片比传统DRAM更具盈利能力。一旦英伟达认证某家厂商的HBM产品，该产品的销量便会迅速增长。然而，三星在让其最新的HBM芯片获得英伟达认证方面，落后于SK海力士和美光。
由于存储芯片销售放缓，三星在2023年11月更换了其半导体部门的领导层，这是当年第二次高层调整。
在此之前的一个月，三星已经承认公司正处于危机之中，市场对其技术竞争力表示担忧。
中国本土DRAM供应商的崛起。手机存储芯片的需求相对疲软，而中国本土的DRAM供应商正在占据越来越大的市场份额。
英伟达CEO对三星的乐观态度。据路透社报道，在CES（国际消费电子展）上，英伟达CEO黄仁勋向记者表示，三星正在研发一款新的HBM芯片设计，并且他对三星在该项目的成功充满信心。
