在发布5TB，25万IOPS的RamSan-620一年之后，闪存记忆系统制造商Texas Memory Systems（TMS）带来了整体翻倍的后续产品，这一产品拥有10TB的容量和50万的持续IOPS。
新产品RamSan-630提供4GB/s的吞吐量，620则为3GB/s，其拥有10个4Gbit/s的光纤通道链路。TMS表示，8Gb/s光纤通道产品将在未来几个月内面世，同时其还会装备四倍数据速率的InfiniBand，也就是说630将提供8GB/s的聚合带宽。
630的延迟为80微秒，功耗450瓦，其占用一个3U机架外壳。其同620一样采用了SLC闪存。
RamSan-630集成了一些数据保护功能。每个闪存芯片都是板上级别的RAID，以防止芯片故障导致数据丢失或损坏。用户可以指定一个630上的卡来作为动态冗余以防当机。LUN能够在阵列内镜像。
在这里我们可以看到外部连接的数据库加速固态硬盘产品正在替代传统意义上的企业级存储产品。目前，我们看到一系列的闪存驱动器（以STEC为代表，其广泛使用于EMC，IBM，惠普和其他公司的产品上）被用于构建一个存放频繁数据的小的快速访问存储层，也就是0级层，而其余的热门访问数据则被放在光纤通道驱动器上。
未来我们可能会看到闪存存储扩展到覆盖整个一级数据存储。多级单元（MLC）闪存将更为可靠，并且有助于拉动SSD的价格下降。像TMS，Violin Memory和其他厂商应该会很快发布这类产品。
据预计，在年内我们可能还会见到一个RamSan-640产品，这一产品将提供20TB的容量和100万IOPS的SLC闪存，也许还会有RamSan-680产品，其将提供40TB的容量和百万IOPS的2-bit MLC闪存。我们注意到东芝与SanDisk的合作已经对外公布了4-bit的专利。这种存储产品在未来12-18个月间可能有更大的突破。
目前的问题是，市场会将闪存存储供应商导向存储阵列领域还是记忆体方向？随着越来越多的虚拟服务器管理器在前端扮演存储管理的角色，闪存阵列产品和系统管理的集成已经成为市场上的一个关键需求。至少在目前，存储阵列制造商对此要比了记忆体元件公司了解的更多。
