4月29日，由中国科学院上海光机所林楠研究员领衔，成功构建出以国际竞争参数运行的极紫外（EUV）光源平台。这项突破不仅打破了西方在 EUV 核心技术上的垄断，更标志着中国半导体产业正式叩开了7纳米以下先进制程的大门，据悉林楠曾是荷兰ASML公司研发科学家、研发部光源技术负责人。
在 ASML 统治 EUV 领域的二十年里，其二氧化碳激光技术体系始终是行业标杆。但林楠团队另辟蹊径，采用固态激光器方案实现了 3.42% 的转换效率，这一指标不仅超越苏黎世联邦理工学院等西方顶尖机构，更比 ASML 现有技术提升了 40%。这种颠覆性创新源于团队对下一代高能效系统的前瞻性布局 —— 通过优化激光脉冲控制算法和靶材材料，该平台理论效率可达 6%，远超当前商业基准。
值得关注的是，林楠团队在光源稳定性上取得突破。其自主研发的激光等离子体（LPP）系统，通过双脉冲打靶技术将锡液滴控制精度提升至纳米级，这一技术路径与 ASML 的高压汞灯方案形成差异化竞争。这种技术路线的选择，不仅规避了西方技术封锁，更为未来扩展至更短波长（如 6.7nm）奠定了基础。
2021 年林楠的归国，被业界视为中国半导体人才战略的关键落子。这位师从诺贝尔物理学奖得主 Anne L’Huillier 的科学家，曾主导 ASML EUV 光源研发的核心项目。他的回归不仅带来了 ASML 的技术积累，更带来了全球视野的研发理念。
在他的带领下，团队构建了 “基础研究 – 技术转化 – 产业应用” 的全链条创新体系。通过与清华大学 SSMB-EUV 光源方案的协同，中国在 EUV 领域形成了多技术路径并行的研发格局：一方面推进固态激光光源的工程化，另一方面探索基于稳态微聚束（SSMB）的下一代光源。这种 “两条腿走路” 的策略，使中国在光源领域的技术储备超越单一技术路线的局限。
尽管光源突破意义重大，但构建完整 EUV 生态系统仍是巨大挑战。目前，中国在 EUV 光学元件、光刻胶、对准系统等关键领域仍依赖进口。不过，国内科研机构正加速填补空白：
光刻胶：南开大学团队开发的金属氧化物光刻胶，在灵敏度和分辨率上已接近国际水平；武汉太紫微公司的 T150 A 光刻胶更通过量产验证，其 120nm 的极限分辨率超越同类进口产品。
光学镜面：上海光机所的离子束抛光技术，已实现反射镜表面粗糙度低于 0.1nm，接近 ASML 的亚纳米级精度。
对准系统：中国电子科技集团研发的纳米级同步定位技术，可将掩模台与晶圆台的同步误差控制在 0.5nm 以内，达到 EUV 光刻机的核心指标。
林楠团队的光源技术若与上海微电子的 DUV 光刻机结合，通过多重曝光技术可实现 7nm 制程，这将直接冲击台积电、三星的先进制程优势。更长远来看，中国在 EUV 领域的技术储备，可能使 2030 年的 3nm 以下制程竞争格局发生根本性改变。
面对西方的技术封锁，中国选择了 “以空间换时间” 的策略：在中低端市场用 DUV 光刻机保障产能，在高端领域集中攻关 EUV。这种 “双轨并行” 的战略，正使中国从芯片消费大国向技术输出国转型。
站在 2025 年的节点回望，这场光源革命的意义远超技术本身。它标志着中国在半导体领域的创新范式发生质变 —— 从跟随模仿到源头创新，从单点突破到系统重构。
