IBM表示：其开发出了第一个32nm的硅绝缘体芯片，主要用于从服务器到消费电子等产品的嵌入式应用设计。这种硅绝缘体能够保持绝对的绝缘，并降低了晶体管上漏电的几率，节省电力，让电流在电路中更有效的进行流动。
2009年9月18日，IBM称其已经开发出业界最快、体积最小且密度最大的片上动态存储器。
IBM表示，相比体硅工艺，32nm SOI工艺能够提供30%的性能提升，同时功耗下降40%。而对比各大厂商在芯片缓存中通常使用的SRAM，eDRAM的每个存储单元只需要一个晶体管，因此体积更小，存储密度更高，速度和容量都比32nm/22nm SRAM有明显优势。
而IBM自身还在开发其他的微型芯片。IBM和其他一些合作伙伴，其中包括AMD、Freescale、意法半导体、东芝等，还致力于开发下一代22nm的芯片工艺。
具体来说，新32nm eDRAM存储密度是2008年8月他们创造"全球最小存储单元纪录"的22nm嵌入式SRAM的两倍，32nm SRAM的四倍。如使用这一技术，处理器的内置缓存容量将得到成倍提升。
速度方面，32nm SOI eDRAM的延迟和工作循环时间均小于2ns，是目前速度最快的嵌入式存储设备。而它的待机功耗还是同类SRAM的四分之一，出错几率是SRAM的几千分之一。
IBM表示，将在12月举行的国际电子设备会议上介绍32nm和22nm的eDRAM技术细节。而该技术未来将被使用在IBM的服务器处理器以及多种应用芯片中，并授权给IBM的多家合作伙伴使用。
