半导体制造商GLOBALFOUNDRIES于1月25日在东京举行了公司战略新闻发布会，该公司首席执行官Douglas Grose发布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的总结和2011年的展望。
● 重点提高晶圆加工能力
Grose首先对2010年进行了回顾，他表示：“半导体工艺技术日益微细化，材料和光刻技术以及封装技术都需要不断得改进，设计复杂性也在不断增加。而IDM（整合元件制造商）企业依然倾向无生产线或轻生产线模式的发展方向。因此对我们这样的晶圆加工企业的需求也是一直不断增加的。”
GLOBALFOUNDRIES在2010年收购新加坡特许半导体制造公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）之后，其员工数量总计超过11000名，业务开展横跨三大州分布在12个地方。GLOBALFOUNDRIES拥有涵盖IBM在内的150家无生产线或轻生产线模式的企业客户，并一直专注于利用尖端技术向这些客户提供批量生产时限短或附加增值的代工晶圆产品。
收购Chartered后的GLOBALFOUNDRIES
为实现进一步投资，GLOBALFOUNDRIES将扩大德国德累斯顿Fab1工厂的生产能力。除额外增加生产设备，还将新建9900平方米的洁净车间。预计到2011年中期Fab1工厂晶圆加工能力将达到月产8万个。
而美国纽约州Fab 8工厂正在兴建中，计划将在2013年开始投入量产。由于处于生产初期，Fab 8工厂将主要集中生产20/28nm工艺制品，其加工能力有望达到月产6万张。
另外，GLOBALFOUNDRIES已在阿布扎比国际机场附近选好建厂地址，计划新建一个技术集群区，该区主要用于协作合作伙伴研究IP解决方案。GLOBALFOUNDRIES还将提供奖学金计划进行人才培养，以支持长期投资计划。
● 集中精力于28nm工艺
为在技术方面有所提高，GLOBALFOUNDRIES将集中发展28nm工艺。相比40nm工艺 ，28nm 的Gate First（先栅极）可使集成密度增加两倍，速度提升50%，转换器和能源皆减少50%。此技术还将继续结合HKMG（High-K绝缘层+金属栅极）。28nm工艺有望在2011年第二季度对外进行测试。
另一方面，GLOBALFOUNDRIES将于2011年期间大规模量产32nm工艺。AMD的Llano将采用GLOBALFOUNDRIES 32nm工艺制造，Llano是拥有四核x86 CPU、支持DirectX 11且集成了GPU的APU产品。此外，三星将首次采用High-K金属栅极技术发布SoC产品。
最近，28nm工艺受到了越来越多的关注，移动产品市场的不断扩大是其中的一个重要因素。Grose表示：“近几年，3G网络用户急剧增长，网络视频的普及增加了对通信量的需求。要想在移动环境中实现网络视频功能，就必须保证高性能、低功耗且电池寿命长等特性，而28nm工艺可实现客户期待的这些特性。”
而且GLOBALFOUNDRIES还将与Common Platform Alliance成员企业IBM、三星、意法半导体合作，在2011年期间实现28nm工艺制造工厂同步的目标。采用28nm工艺的客户将可获得大批量且灵活生产的益处。
此外，预计移动设备未来还将大幅增长，GLOBALFOUNDRIES为此加强了与ARM的战略合作，推出了业界首颗28nm 工艺的Cortex-A9处理器。其功耗最多可减少30%，待机模式下的电池寿命可延长一倍，且多任务处理和图形性能也得到了大幅度的提升。此外，基于Cortex-A9架构的SoC处理器也正处开发中，其双核宏的主频范围为10MHz～2.5GHz。
● 2011年扩大投资 发展20nmEUV光刻技术
GLOBALFOUNDRIES 2011年的计划投资金额将增至54亿美元，相当于2010年的两倍。其投资重点将放在200mm晶圆生产线，计划致力于MEMS元件（压力传感器和加速度传感器及回速器）的生产。投资还计划用于前面所述的，扩大Fab 1工厂产能、扩建Fab 8以及实现阿布扎比技术集群区计划。
在开发实用的28nm工艺同时，GLOBALFOUNDRIES还将着手22/20nm工艺的基础研究。此外，28nm工艺采用了Gate First技术，而20nm工艺将采用Gate Last（后栅极）技术结合HKMG（High-K绝缘层+金属栅极）的方式。
在 MEMS方面，市场目前主要以150mm晶圆生产为主，通过采用200mm晶圆可满足未来的大量需求。大型无晶圆厂MEMS企业对此也可能非常期待。
GLOBALFOUNDRIES还将研发先进的封装技术，改善3D堆叠技术成本并提高其性能。
随着半导体制造业内重要的光刻技术日益微细化，GLOBALFOUNDRIES将进一步研发EUV（Extreme Ultraviolet：超紫外）光刻技术，Fab 8工厂计划在2012年下半年导入此技术，2014年到2015年期间开始投入量产。此导入方式省略了前期开发的过程，可达到早期直接使用的目的。
