由英特尔主办的全球IT界高水平的技术论坛活动——2011英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF)，将于4月12至13日在北京国家会议中心举行。这是2007年以来连续第5个年度IDF在中国首发。本届IDF以“智无界，芯跨越”(Compute Continuum and Beyond)为主题，将进一步展示英特尔如何通过从硬件、平台到软件和服务全面的计算解决方案，推进个性化互联网发展;同时面向中国市场如何支持本地合作伙伴创新，助力新一代信息技术等战略性新兴产业发展。
Intel的金牌赞助商Rambus在IDF技术讲座上介绍了其独特的应用并行计算提高内存接口的技术。
RAMBUS公司技术介绍人员
说起Rambus内存，早年曾经是Intel一直不遗余力推广的一种全新内存架构，这种内存的确性能优异，与Intel的部分处理器能够成为高性能黄金组合，但由于Rambus内存价格实在过于昂贵，市场和厂商接受程度都十分有限，最终Intel也终于宣布向其竞争对手VIA低头，支持DDR内存标准。
RAMBUS内存就是一种高性能、芯片对芯片接口技术的新一代存储产品，它使得新一代的处理器可以发挥出最佳的功能。RAMBUS Inc宣称这种新的技术能够提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能，单根的RAMBUS DRAM，即RDRAM，是DDR400内存的2倍左右 同时 在时钟频率速度上也远超同类内存，并且每条Rambus 内存模组均有金属防护罩，可以有效防止静电和灰尘对内存造成损伤.最大带宽达1.6GB /秒,有多个高性能、大带宽的通道,RDRAM 提供更高、更有效的带宽。
本次技术课堂RAMBUS介绍了自己在内存设计上的一些经验，以及遇到的问题，并展示了RAMBUS内存的最新技术。
