DOSTOR存储在线11月2日国际报道：英特尔、三星和东芝已经组成联盟，它们将联合开发10纳米级半导体产品，以生产容量更高的DRAM和闪存产品，比如400GB的闪存芯片和速度更快的处理器。
据国外媒体报道，三家厂商打算在不久之后组成联盟，它们将与日本经济部以及另外10家公司一起合作，开发新的半导体材料。它们将使用日本Ibaraki县的一个研究所，研究新工艺以改善半导体技术。研发工作包括光阻材料胶质、光掩膜和芯片制造工具的研发。
日本经济部将提供50亿日元的资金，三家厂商再共同提供50亿日元的资金，共计100亿日元（约合1.242亿美元）。
英特尔是全球最大的芯片厂商，三星和东芝是最大的两家NAND芯片厂商。这标志着美国、韩国和日本芯片厂商首次以这种方式与日本政府部门携手合作。
10纳米级工艺指的是利用几何尺寸在10纳米到19纳米的工艺，而不是字面上的10纳米。它们计划用紫外线照射设备来开发10纳米级照相平版印刷术工艺，预计2012年开始生产产品。
目前最高级的NAND几何尺寸在24到26纳米之间。这也可以反映出三家厂商和日本经济部合作将工艺纳米级降至20纳米以下的研发成本。
由于美光科技与英特尔合作建立了Intel Micron Flash Technologies，SanDisk与东芝也在闪存生产厂业务上进行合作，因此美光科技和SanDisk也都能从此项合作中受益。三星正在同希捷合作开发Flash控制器，另外它还投资了PCIe闪存产品供应商Fusion-io。东芝投资了闪存存储阵列产品供应商Violin Memory。所有这些合作关系意味着10纳米级NAND芯片将很快被应用于固态硬盘和PCIe闪存卡中。
除了NAND容量增大之外，DRAM芯片能力将是目前的芯片的3倍。处理器中安装的核心数量也会增多。英特尔可能不会是从中受益的唯一处理器供应商，因为三星和东芝也都获得了ARM的芯片技术授权。
