据IDG News Service报道，惠普科学家在开发名为memristors的下一代存储技术时小有突破，该技术被认为是现在广泛使用的flash和DRAM技术的潜在替代技术。
在发布在今天期刊Nanotechnology的论文中，科学家表示，他们已经绘制出了电气操作中发生在memristor中的化学和结构基础。以前，和memristors有关的工作都是在实验室中完成的，科学家也不知道在微笑的结构中到底能发生什么。惠普高级研究员Stan Williams表示，惠普对这个技术的商业性很有信心，这个发现将会大大提高惠普整个公司的业绩表现。
Memristors首次是由加州柏克莱大学的一名教授于1971年描述出来。在此之前，科学家只知道有三个基本电路元件：电阻器、电容器和电感器。后来，教授Leon Chua认为还应该存在第四个元件。十年之后，惠普科学家再次证明了memristors的存在。
