DOSTOR存储在线 7月1日国际报道：IBM已经解决了与相变记忆体有关的两个问题，表示下一代快速数据存储技术将可以在2016年应用于服务器。
在IEEE（电气和电子工程师协会）国际记忆体工作组的一篇文章中，IBM的研究人员描述了他们是如何将2比特数据压到每个相变记忆体单元而不仅仅是一个记忆体单元的。尽管这不是这种想法的第一次实现（被称为多层存储），不过研究人员表示他们通过绕过所谓的“漂移”问题使得这个想法得以实用化。“漂移”问题会导致长数据在存储过程中产生数据错误。
IBM的多层单元相变记忆体（MLC PCM）芯片原型
（来源：IBM）
工程技术上的进步帮助可以克服一些大的障碍，从而使这种有可能极大改变计算机设计的技术得以实现。相变记忆体（PCM）可以和传统的动态随机存储记忆体（DRAM）协同工作，改善计算机的性能，超越闪存记忆体。PCM没有DRAM那么快，不过IBM表示它的数据读取和写入速度比闪存记忆体快100倍。
IBM研究报告的作者Haris Pozidis表示，IBM的PCM技术还没有到实用化阶段，不过多层存储和漂移容错上的进步意味着这个技术应该在2016年可以有效应用于IBM的服务器应用。
Pozidis表示：“我们在服务器上的主要应用是企业级存储和记忆体应用。在消费者市场上，最重要的因素就是单位存储成本。在企业级应用中，最重要的因素是速度，因为PCM将工作在主要记忆体的旁边，每秒需要应对许多事务。我们必须确保设备可以读取和写入很多次。”
缓慢的行业变化
IBM并不是研究PCM的唯一厂商–其他厂商还包括许多记忆体制造业的龙头，比如海力士、三星和美光。英特尔虽然在十多年前就已经停止制造记忆体，但是它也在研究PCM。有许多学者和研究人员在努力解决工程上的问题。两个最近的例子：斯坦福研究组正在研究一种利用纳米碳管的技术，这种技术可以让PCM单元更加紧凑；加州圣地亚哥大学的研究人员设计了一种称为Onyx的10GB PCM存储设备原型。
Pozidis表示，IBM无意自己制造相变记忆体芯片，它可以将技术授权给其他制造商。
PCM的概念已经出来很久了。英特尔联合创始人Gordon Moore早在1970年就曾撰文讨论过相变记忆体的想法。英特尔使用了“交流控制的半导体元件”（Ovonics）来描述该技术，不过还有其他的术语，包括PRAM（参数随机存取内存）、PCRAM（相变随机存储记忆体）和“硫系”RAM–后者根据相变记忆体核心中的特殊材料而命名。
服务器等级的PCM将在2016年面世，不过不同要求的其他市场也在快速行动着。例如，三星在手机中用PCM芯片取代“NOR” 类型的闪存记忆体。
不过，服务器–承载网络站点、交换电子邮件、执行金融交易的强大的网络计算机–是一个庞大的市场。闪存记忆体已经通过固态驱动器（SSD）的方式进入服务器市场。SSD的性能要比硬盘驱动器高许多。但是除了昂贵的价格外，闪存型SSD会随着数据的写入和读取而发生损耗。
IBM表示，对商业级存储产品来说，3万次写入周期后，闪存的性能就会下降；对消费者级产品来说，3千次写入周期后就会性能下降。闪存记忆体控制器通过将数据迁移到新的闪存记忆体单元的方式来绕过这个问题，但是性能仍然会随着时间的流逝而下降。与此形成对比的是，PCM至少可以承受1千万次写入周期。
Pozidis并不指望PCM能取代DRAM，后者的读取和写入要快得多。不过通过将数据放在PCM高速缓存中以应对下次的快速访问，PCM还是可以提高DRAM的性能的。
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