现在领先的DDR3主流内存的电压为1.35V，普通的内存电压为1.5V。三星的最新的绿色内存(green memory)的电压为1.25V。
和其他DDR3内存一样，新的绿色内存卡瞄准了标准低电压服务器，并以双内联内存模组(RDIMMs)为基础。三星表示1.25V新绿色内存采用的是30纳米机的制造工艺，这意味着它的尺寸在30纳米到39纳米之间，而其他的1.35V内存一般是40纳米级。现在规格为30纳米级16GB RDIMM基础架构和4Gb的存储容量的1.35V内存的功率是最低的。但是1.25V的内存(传输带宽达1.33Mb/秒)的功率仅为3.7w，相同性能的1.35V内存为4.5w。
内存的发展是明显的，DDR2时代内存采用1Gb容量、60纳米级制造工艺、1.8V电压。而今天不论在容量、传输速度还是耗能，内存的性能都有成倍的提升。这使得私服主机的虚拟层以及其他的虚拟计算机技术功能更加强大。
三星方面表示新1.25 V内存将有4GB、8GB、16GB三种容量版本。产品预计明年上市，并尽快用于Intel和其他超威半导体设备制造商的服务器上。
