2011年10月10日 The Register消息：一位惠普高级官员在塞维利亚举办的2011国际电子论坛(International Electronics Forum)上表示，惠普将在未来18个月内推出一种全新的非易失性内存芯片以取代NAND闪存和SSD产品。
惠普高管在接受ElectronicsWeekly.com采访时说：“我们计划研发一种名为Memristor的闪存替代品，另外我们还将在未来一年半的时间里研发SSD的替代产品。Flash已经是快过时的产品了，我们正考虑将现在存错设备的能量提高两个数量级。而且我们已经进行了数百次的测试，现在在预期的时间里完成新产品研发已经不是什么问题了。
Memristor或称忆阻器技术，它与电阻器、电容和电感器一样也是一个基本的电路元件。在设备开启和关闭之间，忆阻器的电子状态保持不变就像闪存记忆体一样。这一点它可以和相变记忆体(PCM)竞争。一旦NAND闪存的制程缩小空间耗尽，NAND将无法可靠工作，面临发展瓶颈问题。为此，这时候需要有新的技术加入进来。
