提升性能、缩小尺寸一直是计算机处理器研发沿用的进步套路。IBM也不例外，现今更是完全依赖于CMOS工艺技术。然而随着技术研发推进以及用户多方需求， 此举已经很到满足未来处理器的进步方向。为此，IBM引入新材料和新电路架构，将新的材料、新电路架构运用到200毫米晶圆上，而这将为计算、通信和消费电子领域带来全新的坚实技术支撑。
近日，在IEEE国际电子设备会议上，IBM专家展示了一系列科研成果，这些成果将大大推动更小、更快、更强的处理器芯片的研发。
在碳纳米管技术成果方向，IBM展示出全球第一个通道长度(栅极长度)不足10nm的碳纳米晶体管， 并且第一次在极其先进的工艺下提供了出色的关闭状态(off-state)性能。
石墨烯方面，IBM做成第一个兼容CMOS的石墨烯集成电路(倍频器)，频率最高可达5GHz,而且能够在200℃高温下稳定工作。
同时，科研人员们还使用了新的嵌入式栅极结构，使之能在200毫米晶圆上获得足够高的良品率。
另一方面，“赛道存储”(Racetrak Memory)再获新进展，首次在40nm工艺200毫米晶圆上实现了与CMOS技术的整合。
IBM这次展示了在256个水平磁性水平跑道组成的阵列上如何实现读取、写入功能，接下来将以此为基础，通过使用垂直磁性跑道和三维架构进一步改进Racetrack存储的密度和可靠性。
