次世代存储器新突破,三星大规模量产28nm工艺EMRAM
三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,除了MRAM,还有eFlas...
三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,除了MRAM,还有eFlas...
半导体制造商GLOBALFOUNDRIES于1月25日在东京举行了公司战略新闻发布会,该公司首席执行官Douglas Grose发布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的总结和2011年的展望。 ● 重点提高晶圆加工能...
三周前,甲骨文共同创办人兼首席执行官Larry Ellison首次展示SPARC SuperCluster的同时,还对即将发布的SPARC T系列处理器路线图进行了预览。Sparc SuperCluster是基于现有SPARC T3处理器的...
为提高在亚洲的晶圆代工市占率,全球晶圆(GlobalFoundries)营运长谢松辉表示,GF正快步迈进28/20纳米阶段,目前在美国纽约投资兴建的Fab 8晶圆厂,便以28/20纳米制程为主,预计在2012年将可进入量产阶段,届时每月产能...
服务器在线4月20日报道 日前,IBM与其众多合作伙伴正在制定一项28nm的半导体研究计划。它将提供更加完善的性能、降低功能设计及更好的电池寿命,这些技术可能未来都将应用于移动设备和消费级电子设备当中。该联盟一直致力于32纳米的研究,现在也...