标签：512GB内存

512GB 容量 DDR5 模块由 8 层硅通孔 (TSV) 结构组成，HKMG 材料可降低 13% 的能耗，同时其速度是DDR4的两倍。 三星电子宣布已利用基于高介电常数金属闸极 (HKMG) 工艺技术的 512GB DDR5 模块扩展了...

朱 朋博2021-03-26业界动态