三星推出50纳米4GB DDR3内存模块
三星电子本周四表示,已经开始使用50纳米电路工艺技术开发第一个4GB DDR3 PC内存芯片,三星电子表示,新的技术能够在提供了更强大的容量之外,同时相比现在的DDR3产品大幅减少能耗。 三星电子的目标是制造新一代的“绿色&rd...
三星电子本周四表示,已经开始使用50纳米电路工艺技术开发第一个4GB DDR3 PC内存芯片,三星电子表示,新的技术能够在提供了更强大的容量之外,同时相比现在的DDR3产品大幅减少能耗。 三星电子的目标是制造新一代的“绿色&rd...
IDC报告曾显示,到2011年,下一代内存模组的市场将从现在占据DRAM市场的29%增长到72%。 三星电子公司本周一宣布,将推出目前体积最小的2Gb DDR3模组的测试产品,这种芯片将主要用于制造计算机内存芯片。 通过50纳米电路技术,三...
全球领先的内存供货商奇梦达公司(NYSE: QI)今日宣布其1GB及2GB的DDR3无缓冲双信道内存模块(Unbuffered Dual In-Line Memory Modules – UDIMMs),通过即将推出的英特尔&r...