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标签:EEPROM

站在2023年,快速回顾闪存发展历程-DOIT-数据产业媒体与服务平台

站在2023年,快速回顾闪存发展历程

闪存的发展史可以追溯到1967年,当贝尔实验室的Dawon Kahng和Simon Sze共同发明了浮栅MOSFET,这是所有闪存,EEPROM和EPROM的基础​。 1967年,贝尔实验室江大原(Dawon Kahng,韩裔)和施敏博士(...

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4Gbit闪存EEPROM 瑞萨、三星竞逐最小-DOIT-数据产业媒体与服务平台

4Gbit闪存EEPROM 瑞萨、三星竞逐最小

    日立制作所和日本瑞萨科技面向闪存EEPROM,日前共同开发出了面积业界最小的内存单元。并在2003年12月8日于美国召开的“IEDM 2003”国际半导体制造技术会议上公布了技术详情。使用90...

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