标签：NAND 第6页

11月10日国际报道 研究机构集邦科技（TrendForce）旗下研究部门DRAMeXchange报告显示，第三季度NAND闪存厂商总营收51亿美元，较第二季度47.6亿美元增长6.9%。尽管厂商采取不同定价战略，但部分厂商采取积极的降价促...

wanglin2010-11-10智能计算

DOSTOR存储在线11月2日国际报道：英特尔、三星和东芝已经组成联盟，它们将联合开发10纳米级半导体产品，以生产容量更高的DRAM和闪存产品，比如400GB的闪存芯片和速度更快的处理器。 据国外媒体报道，三家厂商打算在不久之后组成联盟，它...

liukai2010-11-02智能计算

DOSTOR存储在线10月8日国际报道：EMC在企业级闪存驱动器中使用三星NAND，三星继STEC之后成为EMC闪存驱动器的第一个二级来源。 传统上，像EMC这样的存储阵列厂商喜欢有第二个技术来源，比如磁盘驱动器，不喜欢依赖于单个厂商。因此...

liukai2010-10-08智能计算

9月3日消息，据台湾媒体报道，集邦科技(TRENDFORCE)下属研究部门DRAMeXchange表示，8月下旬NAND Flash闪存的合约均价部分持平，部分下跌1%到7%。 报道称，目前存储卡及优盘客户的库存仍然充足，且零售渠道市场的需...

wanglin2010-09-03智能计算

根据国外媒体的报道，英特尔与美光科技公司将开始建设新的NAND闪存芯片制造工厂。 2011年初，东芝将在日本建成一个新的闪存工厂，这一项目将于本月启动。三星明年也会有新的韩国工厂上线。闪存工厂会耗费很多资金成本，制造商都不愿意在这方面进行投...

lixuyang2010-07-16智能计算

三星和东芝完全控制了NAND闪存市场，给其他厂商留出的市场空间非常有限，各厂商第一季度的收入数据如下。 下图为市场研究公司iSuppli统计各闪存供应商第一季度营收（以美元为统计货币）的排名情况。从图中显示的情况来看，三星以38.5%的市场...

lixuyang2010-05-24智能计算

惠普今天宣布将Memristor技术的开关速度和耐久性进一步提高到等同于目前NAND闪存单元的水平。 Memristor或忆阻器技术据说和电阻器、电容和电感器一样也是一个基本的电路元件。在设备开启和关闭之间，忆阻器的电子状态保持不变R...

lixuyang2010-04-12智能计算

据韩国《中央日报》报道，世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级32GB DRAM(动态随机存取记忆体)模块，并计划从4月开始生产该产品。 40纳米(10亿分之1米)工艺是指将芯片内部电路的线幅缩小为40纳米。芯片电路线幅越薄，...

lixuyang2010-04-02智能计算

苹果iPad平板机和固态硬盘的普及似乎是八竿子打不着的两码事儿，不过硬盘厂商认为，iPad的出现可能会导致NAND闪存供应紧张，进而影响固态硬盘在PC系统中的应用和推广。 继iPod播放器、iPhone手机之后，苹果iPad平板机今年有机会...

lixuyang2010-03-08智能计算

镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批量生 产25nm制程NAND闪存芯片，并将于明年转向更高级别的制程。他并表示镁光也计...

lixuyang2010-03-03智能计算