站在2023年,快速回顾闪存发展历程
闪存的发展史可以追溯到1967年,当贝尔实验室的Dawon Kahng和Simon Sze共同发明了浮栅MOSFET,这是所有闪存,EEPROM和EPROM的基础。 1967年,贝尔实验室江大原(Dawon Kahng,韩裔)和施敏博士(...
闪存的发展史可以追溯到1967年,当贝尔实验室的Dawon Kahng和Simon Sze共同发明了浮栅MOSFET,这是所有闪存,EEPROM和EPROM的基础。 1967年,贝尔实验室江大原(Dawon Kahng,韩裔)和施敏博士(...
台湾媒体报道,为了让NOR闪存市场供需更加平衡,业界主要NOR芯片制造商都已经将重点放在了产品工艺升级上,而非价格竞争上。 刚刚在今年5月份走出破产保护的Spansion已经计划将其芯片制造工艺升级到65nm,并预计该工艺产品将占据其今年总...
Spansion的300mm SP1晶圆厂正在量产其首款针对消费及工业应用的65nm 3V MirrorBit NOR快闪记忆体,而此举是为了该公司下一代MirrorBit Eclipse GL 3V的推出奠定基础。 尽管全球存储器市况仍处...
与NAND相比,近年来NOR闪存由于缺乏关键的应用市场,销售收入增长缓慢。但NOR可能会在通常由NAND统治的低密度数据存储应用发现新的增长机会,比如存储卡、MP3播放器、PDA、数码相机、数...