标签：V-NAND

12月5日，在此间举行的2017中国存储峰会上，中国三星半导体华北区副总裁欧阳基表示，三星第五代V-NAND闪存即将正式发布。但他没有透露五代闪存的量产计划。 据悉，第五代闪存堆栈超过了90层以上（96层），单晶最大容量达到1Tb，读写速度...

周 冰2017-12-08业界动态