
英特尔在2008 VLSI电路技术会议上发布重要论文
英特尔公司于6月17日至20日在夏威夷檀香山举行的2008 年VLSI 电路技术会议上展示5篇重要技术论文。摘要如下: 6月18日展示论文: 论文9.4:在硅薄膜和BOX(隐埋氧化物)薄膜上采用高k栅介质 + 金属栅极工艺制造的可扩展浮体单...
英特尔公司于6月17日至20日在夏威夷檀香山举行的2008 年VLSI 电路技术会议上展示5篇重要技术论文。摘要如下: 6月18日展示论文: 论文9.4:在硅薄膜和BOX(隐埋氧化物)薄膜上采用高k栅介质 + 金属栅极工艺制造的可扩展浮体单...