
铠侠展示了218层的BiCS 8 NAND,密度高性能也高
最近,铠侠展示了BiCS 8 NAND的相关产品。铠侠与西部数据在2023年3月宣布了BiCS 8的出样,这一代NAND采用了CMOS绑定阵列(CBA)技术。 传统上,闪存芯片的制造过程将逻辑电路(CMOS工艺)布置在闪存阵列的外围,随后在...
最近,铠侠展示了BiCS 8 NAND的相关产品。铠侠与西部数据在2023年3月宣布了BiCS 8的出样,这一代NAND采用了CMOS绑定阵列(CBA)技术。 传统上,闪存芯片的制造过程将逻辑电路(CMOS工艺)布置在闪存阵列的外围,随后在...