武汉新芯陈少民:3D NAND是中国半导体产业弯道超车的机遇
6月30日,中国闪存峰会在北京举行 。 武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民先生在参与“大存储产业和中国力量”对话中表示,武汉新芯选择3D NAND,是中国半导体产业弯道超车的机遇。 武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民先生。 陈少民先生指出,大存...
6月30日,中国闪存峰会在北京举行 。 武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民先生在参与“大存储产业和中国力量”对话中表示,武汉新芯选择3D NAND,是中国半导体产业弯道超车的机遇。 武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民先生。 陈少民先生指出,大存...