次世代存储器新突破,三星大规模量产28nm工艺EMRAM
三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,除了MRAM,还有eFlas...
三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,除了MRAM,还有eFlas...