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上周末，美光公司在一场投资者会议上宣布了自己在内存技术领域的新突破。这项创新技术名为“混合存储立方体”（Hybrid Memory Cube，HMC），号称单颗HMC芯片的性能是DDR3内存条的20倍。美光DRAM内...

liukai2011-02-14智能计算

美光首席执行官Steve Appleton日前表示，为了避免出现2010年的产能过剩造成的价格下跌，今年各内存芯片厂商的资本支出将会非常保守。 Steve Appleton在参加亚利桑那州的分析师会议时表示，去年内存业疯狂投资的局面不会再出...

zhabin2011-02-12智能计算

彭博社报道，美光首席执行官Steve Appleton日前表示，为了避免出现2010年的产能过剩造成的价格下跌，今年各内存芯片厂商的资本支出将会非常保守。 Steve Appleton在参加亚利桑那州的分析师会议时表示，去年内存业疯狂投资的...

liukai2011-02-12智能计算

12月中下旬，国际市场MLC NAND闪存合约价格始终保持平稳，主流的16Gb、32Gb颗粒价格在3 – 3.5美元以及4 – 5美元之间浮动。不过业内人士指出，由于东芝停电事故，以及平板机市场的影响，预计明年一季度...

liukai2010-12-30智能计算

DOSTOR存储在线12月14日国际报道：美光表示一些闪存控制器任务将迁移到NAND芯片上，这样控制器制造商就不用做一些他们本不应该做的依赖于芯片的工作。 本来一些底层闪存控制器也进行错误管理，现在这项任务将从现有的NAND控制器中移去。 ...

liukai2010-12-14智能计算

美光今天宣布推出新概念的大容量闪存产品ClearNAND，针对企业级应用以及消费电子产品，直接在闪存芯片中集成了智能ECC错误校验功能。 美光表示，随着闪存工艺进入20nm级时代，读写闪存过程中的出错几率大大攀升。传统方案将ECC纠错的工作...

liukai2010-12-03智能计算

据国外媒体报道，甲骨文当地时间上周五在加利福尼亚州北区联邦地方法院起诉美光操纵计算机内存芯片价格，并要求被告赔偿损失。 起诉书显示，甲骨文指控美光与其它计算机内存芯片厂商联手，人为哄抬计算机内存芯片价格。在1998年至2002年期间，Sun...

zhabin2010-09-28智能计算

根据国外媒体的报道，英特尔与美光科技公司将开始建设新的NAND闪存芯片制造工厂。 2011年初，东芝将在日本建成一个新的闪存工厂，这一项目将于本月启动。三星明年也会有新的韩国工厂上线。闪存工厂会耗费很多资金成本，制造商都不愿意在这方面进行投...

lixuyang2010-07-16智能计算

Intel与美光的合资企业Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)日前表示，采用25nm新工艺的NAND闪存芯片已经开始批量出货，相信不久后我们就能够看到采用该颗粒的固态硬盘、U盘、存储卡等产品。 Inte...

lixuyang2010-05-19智能计算

据国外媒体报道，台湾南亚科技总裁连日昌周三表示，公司目前正在与合作伙伴美光科技联手，共同为未来的DRAM生产开发先进的20 纳米芯片制程技术。   这 项先进的芯片制程技术有助于提高芯片性能、减少芯片耗电量、降低芯片生产成本。连日...

lixuyang2010-03-04智能计算