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据国外媒体报道，三星计划于今年晚些时候推出相变内存卡(PCM)，旨在取代当前手机等电子产品所使用的闪存技术。 相变内存由相变材料制成，通过加热材料形式来存储数据。与闪存存储相比，相变内存存储数据时更加省电，预计可延长电池续航时间20%。 在...

lixuyang2010-05-04智能计算

据报道，受到Intel发布最新Xeon 5600系列服务器处理器的推动，服务器市场需求进一步增加，服务器内存所使用的DDR3芯片需求也相应提升。三星今天宣布，为了满足服务器制造商的需求，三星将提升40nm DDR3芯片产能。 和60nm D...

zhabin2010-05-04智能计算

全球领先的数字消费电子和信息技术厂商 三星今天发布其STORY Station TM产品套件中运行速度最快的外部硬盘驱动器-配备超速USB3.0接口的三星STORY Station 3.0。与之前的USB 2.0接口速度相比，该款顶级产品线...

lixuyang2010-04-27智能计算

4月24日消息，据4月22日泄露的一份三星电子的文件证实，多核1Ghz以上的移动处理器计划在未来几年内大批量生产。这个泄露的产品路线图包括在2012/2013年发布1.2GHz四核ARM Cortex-A9芯片。 EETimes网站报道称，...

wanglin2010-04-26智能计算

4月16日消息，全球最大的内存芯片厂商三星电子称，它将展开独立调查以便对有关芯片生产中使用的有毒物质也许引起某些员工患癌症的报道做出回应。 韩国的三星电子一直面临一些社会组织和民权组织的压力，要求它承担这些事件的责任。在2000年年末之前一...

wanglin2010-04-16业界动态

4月8日消息，据国外媒体报道，三星电子董事长李健熙日前表示，三星还要向日本企业学习，而与中国的合作也十分重要。 李健熙说：“在过去的几年中，三星的表现可圈可点，但仍需要向日本企业学习。在许多方面，韩国和日本企业可以相互合作。&r...

wanglin2010-04-08智能计算

据韩国《中央日报》报道，世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级32GB DRAM(动态随机存取记忆体)模块，并计划从4月开始生产该产品。 40纳米(10亿分之1米)工艺是指将芯片内部电路的线幅缩小为40纳米。芯片电路线幅越薄，...

lixuyang2010-04-02智能计算

北京时间3月3日消息，据国外媒体报道，国际环保组织“绿色和平”（Greenpeace）周三对三星发起猛烈抨击，指责三星食言，没有恪守承诺淘汰电子产品中的有害物质。 绿色和平表示，三星产品中含有的有害化学物质溴化阻燃剂...

wanglin2010-03-04智能计算

继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。 海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的2...

lixuyang2010-02-11智能计算

据国外媒体今日报道，三星电子与内存芯片制造商Rambus在上周二共同表示，已就双方之间的所有争议达成共识，Rambus授权三星在所有半导体产品使用其专利。 根据协议，三星将首先支付Rambus 2亿美元，此后5年每个季度支付2500万美元。...

lixuyang2010-01-20智能计算