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东芝公司今天宣布，位于日本三重县四日市的东芝NAND闪存晶圆厂新厂房Fab 5已经正式开工建设，预计2011年春竣工。东芝同时还宣布，与SandiDisk公司达成初步协议，将成立一个新的合资企业，专门运作Fab 5工厂。 由于新兴市场如智能...

lixuyang2010-07-15智能计算

据台湾媒体报道，台湾创新内存公司(TIMC)将联合茂德、晶豪科、翔准等公司，布局自有储存型闪存(NAND Flash)技术，而政府层面将给予40%的研发补贴。 此前TIMC规划以日本厂商尔必达为技术合作伙伴进行DRAM产业再造，此番调整该从...

lixuyang2010-06-30智能计算

Intel与美光的合资企业Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)日前表示，采用25nm新工艺的NAND闪存芯片已经开始批量出货，相信不久后我们就能够看到采用该颗粒的固态硬盘、U盘、存储卡等产品。 Inte...

lixuyang2010-05-19智能计算

三星电子宣布，已经成功使用30nm级别工艺(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式闪存芯片。OneNAND 是一种高可靠性嵌入式存储技术，在一颗芯片内集成了NAND内核、NOR接口、SRAM缓冲，融合了NAND闪存的高存储...

lixuyang2010-05-07智能计算

NextIO与Fusion-io达成一项关于合作生产5TB闪存SAN产品的协议，双方合作生产的闪存SAN可以让连网服务器共享闪存存储设备。 NextIO最初是一家交换机厂商，它的交换机产品主要用来虚拟化PCIe连接，通过单一开关PCIe产品...

lixuyang2010-04-19智能计算

LSI通过1TB希捷闪存取得100万次IOPS（每秒输入输出）性能，表明用户可以用更少的闪存获得更高的性能。 2008年9月，Fusion-io和IBM在IBM的Quicksilver项目上达到100万次IOPS的性能。该项目使用了41个i...

lixuyang2010-04-16智能计算

4月6日消息，据国外媒体报道称，东芝公布了一项新计划，开发25纳米工艺的闪存芯片。 闪存芯片尺寸越来越小，存储容量越来越大，单位成本越来越低。东芝已经在生产32纳米和43纳米闪存芯片，是仅次于三星的第二大闪存芯片厂商。 东芝将在该项目上投资...

lixuyang2010-04-06智能计算

东芝已经战略投资闪存产品供应商Violin Memory并与之签订了一份闪存芯片供货协议。 东芝此举是对三星收购Fusion-io以增强NAND芯片供应链作出的回应。 Fusion-io主要生产服务器内置与PCIe相连的闪存产品，而Viol...

lixuyang2010-04-02智能计算

据台湾媒体报道，包括威刚、创见、PQI劲永等在内的台湾闪存产品厂商以及闪存控制器厂商群联电子近期都已经开始从SanDisk公司购买NAND闪存晶圆。这意味着SanDisk已经从自有品牌闪存设备制造商，摇身一变成了NAND晶圆供应商。 据称，...

lixuyang2010-03-10智能计算

FalconStor与Violin共同推出一款基于闪存的SAN（存储局域网）加速器。该加速器有一个专门的高速缓存区以加快写入速度。 拿一个Violin 1010闪存设备（一块连接到PCI的固态驱动器），将这个设备安装到一个运行FalcomS...

lixuyang2010-03-02智能计算