闪存将在2014年迎来快速蓬勃的发展期

2013年对于闪存技术来说是奇妙的一年，它在2013年获得了巨大的开发成果。

这是闪存技术积极发展的一年，闪存单元尺寸大幅减小，纯闪存阵列的数量越来越多，很多闪存厂商被收购，还有很多闪存厂商经过IPO或倒闭破产后又被打回原形，闪存/磁盘混合阵列供应商赚得盆满钵满。

想跟上这个潮流趋势并融入整个市场大格局就象是想越过尼加拉瓜大瀑布喝水一样。

从大批的产品和技术消息中还可以看出一些东西。这说明市场已经开始普遍接受这样一种观点，即访问I/O增强型随机数据最好还是利用闪存而非传统硬盘来完成，而且纯闪存阵列肯定是连网存储高频随机数据的最佳载体。 对于传输数据来说，传统硬盘与闪存一样好用，而且在单位容量价格上要便宜得多。传统硬盘阵列最适合用来储存近线、访问频率低的数据和大型文件。
 

苹果的MacBook Air已经配备了闪存

市场一致认为，速度超快、外形轻薄的笔记本电脑需要闪存来实现最佳性能，平板电脑也是如此。但是也可以使用2.5英寸的混合硬盘，厂商们已经开始建议用户们配备混合硬盘，用闪存储存访问频率高的数据，而用价格相对低廉、大容量的传统硬盘储存访问频率低的数据。

我们将在随后的文章中讨论商业方面的事务，但是现在只谈闪存技术研发方面的事情。

没有太多的三层单元（TLC）

我们在2013年并没有看见三层单元（TLC）NAND被广泛应用到企业应用之中，TLC闪存的速度比较慢，写耐久程度相当短。闪存生产厂比较喜欢生产单级单元和多级单元（SLC和MLC）产品，因为这些产品的需求更大，投资回报率相对更高。 TLC闪存仍然主要被应用于U盘、照相机闪存存储卡等应用。

现在闪存市场还有一个变化趋势，即由2X（29纳米至20纳米）技术工艺向1X（19纳米至10纳米）技术工艺升级。 例如，东芝现在就在建设19纳米生产线。NAND产品的外形尺寸越小，每块硅片上能够安装的NAND闪存芯片就越多，从而降低单位存储容量的成本。 然而这个趋势还没有在整个行业内发生，美光科技正在向20纳米迈进，预计今年会开始使用16纳米工艺试生产。

逐步提高到3D NAND

业内人士之前预计会发生但是到现在为止都还没有发生的一种情况是：非易失性技术将取代闪存技术。业内人士普遍认为，闪存技术也许无法在15纳米或更先进的工艺条件下开发出能够满足写耐久性要求的企业级闪存存储产品。 相变存储（PCM）和各种阻抗RAM比如惠普的Memristor都仍是未来的技术，3D NAND技术通过在一块闪存芯片上安装更多的闪存层级而提高了闪存的容量。

3D NAND原理图

美光科技预计3D NAND生产样品会在2014年中期之前出货，最早可能会在4月份。但是量产至少要等到2015年才有可能实现。三星已经发布了其3D-VNAND技术，但是今年可能无法投入实际生产，而且现在三星还没有开始接受有关订单。

Objective Analysis的分析师Jim Handy在其Memory Guy网站上发布了一系列3D NAND技术图纸，分析了那项技术以及各家厂商的计划。

固态硬盘迎头赶上

固态硬盘在过去一年保持着稳步地增长，固态硬盘技术越来越成熟，NAND密度的增长使得这项技术能够适用于越来越多的产品和价格区间，配备12Gbit/s SAS接口的产品也开始在市场上亮相了。

这里还有一些亮点：

• STec在1月份推出了一款2TB的SAS固态硬盘s840，

• 美光科技推出了很多固态硬盘产品，比如它升级了P400M SATA固态硬盘，给该产品配备了一个6Gbit/s的SAS接口。

• HGST在4月份推出了12Gbit/s SAS接口的SDD（SSD100MR）。

• HGST SSD 1000MR

• Plextor之前曾宣布它将在1月份的CES展会上展出一款TLC SSD，但是后来又在6月份放弃了那一计划。

• SMART在5月份宣布推出了一款2TB的固态硬盘。

• 希捷在5月份宣布推出了一组3款固态硬盘，其中两款配备6Gbit/s SATA接口，一款配备12Gbit/s SAS接口。

• 三星宣布推出一款1.6TB的固态硬盘，带宽为3GB/s。

这都是一些循序渐进的升级产品，没有令人眼前一亮的重要升级。固态硬盘表现得颇有些不愠不火。