MLC寿命变差的原理

现在不妨抛开颗粒发展的问题，只停留在还算成熟和稳定的MLC上，看看不同时代的MLC颗粒有哪些变化。

在《固态硬盘发展之殇：渐行渐远的企业存储方案》有一张图是用来描述固态硬盘对于ECC校验依赖性的，不过其中的一些其他信息成为了本文的重要内容。

在这张图里除了显示出SSD固态硬盘对于ECC校验越来越依赖之外，在横轴上列举了5种类型的存储颗粒，分别是SLC、50纳米工艺的MLC、 30纳米工艺的MLC、20纳米工艺的MLC以及TLC，中间的三种MLC的寿命又是什么情况呢?在图中可以很清楚的看到，50纳米MLC的寿命是 10000次，依赖于4bit ECC校验，30纳米MLC的寿命是5000次，依赖于8bit ECC校验，而20纳米MLC的写入寿命是3000次，依赖15bit ECC校验。

也就是说同样是MLC颗粒，随着制造工艺的提升，晶体管也朝着越来越脆弱的方向发展了，如果不是ECC校验规格不断提升，MLC的写入寿命也随着工艺进步在以不可思议的速度衰退。

ECC校验会占用一定的性能，这部分要依赖于主控芯片，幸好主控芯片的性能提升幅度比较大，让SSD厂商得以从软件上弥补硬件的不足。不过工艺提升的道路是无休止的，最骇人听闻的事情还是出现了。