DOSTOR存储在线 原创报道： “最近十年来，CPU的性能提高了100多倍，内存的性能也提高了几十倍，只有硬盘，仅仅提高了两倍，现在数据中心的瓶颈就在硬盘上，我们希望通过我们的产品改变数据中心。”两年前，忆恒创源联合创始人殷雪冰在创新中国DEMO CHINA 2011 杭州总决赛上说出了这番话，在这次演讲的最后，还处在创业初期的殷雪冰说：“我们希望借助资本的力量，借助各种各样的资源，做出世界级的企业。”

现在，殷雪冰与他的团队创建出来的忆恒创源(Memblaze)已经成为中国存储行业必须要关注的一家企业，虽然离世界级的企业仍有一定距离，但这家公司所设计、制造并付诸实际应用的Memblaze系列PCIe闪存卡，在多家国内知名互联网企业中的应用已经证明了其所具有的优异而又独特的价值。

自2007年开始认识到NAND Flash存储市场的巨大商机，并在2010年开始将这一预测付诸实施以来，首先且坚持采用Device-Based架构的PCIe闪存卡的忆恒创源，如今已经形成相对完善的产品布局，并在2013年初推出了创新性的“琴键”设计，其颠覆性的38种容量设计，在2013年英特尔信息技术峰会的现场一经展出，就成为了微博上IT圈子最火热的话题。

2013年忆恒创源的新产品被称为PBLAZE III，这已经是这家初创公司的短短3年时间里的第三代产品，从全高到半高，PBLAZE III以顺序读/写带宽3.2GB/s和2.5GB/s的速度成为当下PCIe闪存卡市场里的佼佼者，而更具突破性的15μs(缓存写入)延时以及50%甚至更低的CPU占有率、1MB的内存消耗，成为其标志性的Device-Based架构设计的优秀成果。

“琴键”设计就出现在这一代PBLAZE III上，不曾焊接在PCB板上的闪存颗粒与其著名的Fusion-io相同，通过可选择的模块来连接，而借助不同容量的闪存模块——被称之为M3、M4、M5、M6等等——的不同排列组合(不仅是容量，事实上也可能是不同品牌的闪存颗粒)，38款不同容量的PBLAZE III就此诞生，而与此同时诞生的，还有425GB、575GB、750GB、1025GB、1175GB等等差异化明显的PCIe闪存卡容量。

这在忆恒创源被称之为竞争对手的多家PCIe闪存卡厂商中不曾出现，我们见到的多是整数(或者说是100GB倍数)的产品，而更不曾出现的，还有上面所说的Device-Based架构以及更低的处理器占有率、内存消耗与稳定的、抖动现象不明显的数据表现——这一切的实现，都来自于殷雪冰和他的伙伴、团队一起所做出的创造性设计以及对NAND Flash存储市场的倾力投入。

而这也引发了在第五届中国云计算大会上，DOIT记者与殷雪冰长达一小时的对话，在这场对话中，我们谈论了忆恒创源引以为傲的Device-Based架构，讨论了忆恒创源眼中的“英雄”与“竞争对手”，以及作为一家初创企业，忆恒创源38种琴键技术背后的原因和这家公司未来可能的技术走向。