传统的存储系统也被称为“磁盘阵列”，众所周知是因为RAID的缘故。与单个驱动器/模块相比，RAID可以提高性能（并发访问）和可用性（避免单点故障），这对闪存也是有价值的，所以能有“全闪存阵列”这个对应的概念。由于闪存与磁盘的特性非常不同，一款真正围绕闪存设计的全闪存阵列，肯定不能简单照搬基于磁盘的RAID技术，但是否完全与磁盘时代的积累（如SAS）“划清界限”，就是正确的选择呢？

Violin Memory的vRAID技术，RAID控制器与VIMM的组合，与常规的磁盘RAID类似，差异在于RAID算法和VIMM

我们不妨先来看看，全闪存阵列代表性厂商Violin Memory在介绍其专用的闪存RAID算法vRAID时，列举了闪存解决方案在算法上面对的一些挑战：

1. 闪存写比读慢；
2. 在一个闪存块内（通常128-256KB），闪存写入操作必须是连续的；
3. 闪存块大于用户数据块，因此需要一个映射系统；
4. 闪存块在被写入前必须先擦除；
5. 闪存擦除耗费时间较长（以毫秒计，快与硬盘驱动器的平均访问时间一个量级了），且会阻塞同一芯片上的读或写操作；
6. 闪存块在物理磨损之前只能被擦除一定次数，且不能再被使用；
7. 闪存错误随着读取次数而增长；
8. 闪存经过一段时间会丢失数据，哪怕是没被使用；
9. 闪存会在块、页或模片级别退化，都要统计下来……

不难看出，这些算法不一定都要在RAID控制器层面解决，闪存控制器就可以做到。不过，那些不提供SAS/SATA SSD的厂商认为不应该引入这两种协议，原因包括SAS/SATA接口最初也主要是为磁盘开发的，带宽不够给力（12Gb/s SAS综合起来与PCIe 3.0有一拼，劣势是刚开始产品化），更重要的是增加了（到PCIe）协议转换的延迟。但是，考虑到要经过FTL（不管这层在哪儿实现）、各种接口（如PCIe）的控制器、RAID（不论磁盘RAID还是所谓vRAID）、主机端口（PCIe、InfiniBand、FC或iSCSI）等多个环节，SAS/SATA的这点延迟，貌似也算不了什么。举例来说，Violin Memory的3000/6000系列全闪存阵列的延迟指标，使用SLC闪存的型号低于250微秒（μs），MLC闪存的型号低于500微秒，与NetApp EF540宣称的“亚毫秒级”（ms，1000微秒）相比并无明显优势。